BC847BWT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC847BWT1G

商品编码: BM69419177
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SC-70-3(SOT323)
包装 : 
编带
重量 : 
0.031g
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 45V 100mA NPN SOT-323-3
库存 :
8518(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.661
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.661
--
200+
¥0.22
--
1500+
¥0.138
--
3000+
¥0.095
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC847BWT1G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值150mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SC-70-3(SOT323)

BC847BWT1G手册

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BC847BWT1G概述

BC847BWT1G 产品概述

概述

BC847BWT1G 是一种高性能的 NPN 型晶体管,属于安森美(ON Semiconductor)公司的一系列电子元器件。该元器件采用 SC-70-3 封装,专为高密度表面贴装(SMD)应用而设计,符合现代电子产品对小型化和高效能的需求。BC847BWT1G 具备多个优异的电气特性,使其在广泛行业应用中发挥重要作用,特别是在信号放大、开关控制和线性调节等场合。

基本参数

BC847BWT1G 的主要电气特性包括:

  • 晶体管类型:NPN。
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA,适合用于中低功率应用。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):45V,保证了在较高电压条件下的稳定性。
  • Vce 饱和压降:在流过 5mA 和 100mA 的集电极电流下,最大饱和压降为 600mV,确保了良好的开关特性。
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为 15nA,表明该晶体管在关闭状态下的漏电流极低。
  • 直流电流增益 (hFE):在 2mA 和 5V 的条件下,hFE 的最小值为 200,提升了信号放大的能力。
  • 功率消耗:最大功率为 150mW,适合高效热管理。
  • 频率特性:具有高达 100MHz 的跃迁频率,适用于高频应用。
  • 工作温度范围:从 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围,适合各种恶劣环境。

封装与安装

BC847BWT1G 采用 SC-70 封装(也称作 SOT-323),其尺寸小巧,非常适合高密度的表面贴装应用。SC-70 封装在电子电路板上占用的空间非常有限,尤其适合现代智能设备和便携式电子产品,能够有效提升电子产品的集成度和性能。

应用场景

BC847BWT1G 的广泛应用包括:

  • 信号放大器:由于其高增益特性,非常适合用于音频放大和射频放大器。
  • 开关应用:可用作开关元件以控制较低功率的负载。
  • 电源管理:在电压调节器和稳压器电路中应用,有助于实现更高的能效和系统稳定性。
  • 线性电路:用于音频处理、传感器驱动和其他模拟电路。

可靠性与合规性

安森美在晶体管的设计和生产过程中遵循严格的质量控制标准,确保 BC847BWT1G 的可靠性。该产品适用于汽车、工业控制、消费电子等多个领域,并符合 RoHS 指令,确保了其在环境保护和安全方面的合规性。

总结

BC847BWT1G 是一款具有高增益、低功耗和广泛工作温度范围的 NPN 晶体管,符合现代电子产品对性能和尺寸的严格要求。无论是在消费电子、通信设备,还是在工业控制和汽车应用中,BC847BWT1G 都能提供可靠的解决方案,是设计者在选择功率和信号处理元件时的理想选择。在高频操作和高效电流放大任务中的表现,使其成为电子工程师和设计师的一项重要工具。