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IRF830SPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-263-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 74W；3.1W 500V 4.5A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
64(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
4.73按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.73
--
100+
￥3.79
--
1000+
￥3.5
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF830SPBF参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），74W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 漏源电压（Vdss） | 500V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 610pF @ 25V |
| 基本产品编号 | IRF830 |
IRF830SPBF手册
无数据
IRF830SPBF概述
IRF830SPBF 产品概述
产品简介
IRF830SPBF 是由威世半导体（Vishay Siliconix）生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高电压、大电流应用而设计。其卓越的性能和高度的可靠性使其在各类电子设备中非常受欢迎。IRF830SPBF 的表面贴装型（D2PAK）封装设计，适合各种现代电子设备的需求，尤其是在空间有限的场景下。
关键参数
- FET 类型: N 通道 MOSFET
- 连续漏极电流 (Id): 4.5A @ 25°C
- 驱动电压: 最大 Rds On 于 10V 时
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大 1.5 欧姆 @ 2.7A，10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 250µA
- 漏源电压 (Vdss): 500V
- 功率耗散: 最大 3.1W（环境温度），74W（结温）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: TO-263-3 / D²Pak
应用领域
IRF830SPBF 适用于多种需要高电压和高电流处理的应用，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电动机驱动模块
- 射频（RF）放大器
- 自动化控制系统
- 逆变器和光伏应用
这种器件尤其适合需要长时间持续工作于高负载条件下的应用，其设计使其能够在高电压下安全且有效地传输大电流，这对于现代电力电子设备至关重要。
性能优势
- 高耐压特性: IRF830SPBF 台电流高达 500V，适用于高电压应用，能够有效避免在电子元器件受压情况下损状。
- 低导通阻抗: 1.5 欧姆的最大导通电阻在大电流状态下确保了较小的功率损耗，提高了系统的整体效率。
- 宽工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的工作温度范围，使得该MOSFET可以在极端的环境条件下稳定工作，适用于工业和航空航天领域。
- 表面贴装设计: D2PAK 封装的设计适合自动化贴装工艺，有助于提高生产效率并节约空间。
测试与合规
IRF830SPBF 在行业标准下经过严格测试，符合多项安全和性能标准，确保长期稳定运行。最低阈值的栅极驱动电压，使得该元件能够在较低电压条件下启动，大大增强了应用的灵活性。
结论
IRF830SPBF 是一种高电压 N 通道 MOSFET，广泛适用于现代电子设计的各个方面。其低导通电阻、高承载能力和优越的工作温度范围，使其在高效能、可靠的电力管理中成为理想选择。考虑到其多样的应用潜力，IRF830SPBF 在未来的电子技术中将继续扮演重要角色，助力各类设备实现更高的能效与稳定性。对于追求高效能和高稳定性的工程师和设计师而言，IRF830SPBF 是不容忽视的一款卓越元器件。