BAT54WT1G
BAT54WT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 1V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800mV @ 100mA |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 125°C |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2µA @ 25V | 反向恢复时间 (trr) | 5ns |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
BAT54WT1G手册
BAT54WT1G概述
BAT54WT1G 产品概述
一、产品简介
BAT54WT1G 是由安森美（ON Semiconductor）制造的一款小信号肖特基二极管，专为低功耗和高效率的应用场景设计。它的封装形式为SOT-323（SC-70-3），适合于表面贴装技术，在空间有限的电路中尤为重要。BAT54WT1G具有800mV的正向电压降（Vf @ 100mA），在其最大直流反向电压（Vr）为30V时，具有出色的整流性能，适合多种电子设备的应用。
二、主要特点
正向电压降（Vf）: BAT54WT1G在100mA的条件下，正向电压降为800mV。这一参数使其在低功耗方案中表现优异，能够有效降低功耗，提高整体系统效率。
反向电压能力（Vr）: 该二极管的最大直流反向电压为30V，这使其能够在多种电子设备中广泛应用，包括电源管理和信号整流电路。
平均整流电流（Io）: 在直流应用下，BAT54WT1G的平均整流电流可达到200mA，使其适合于小信号整流和保护电路。
反向恢复时间（trr）: 二极管具有5ns的反向恢复时间，这意味着它能够快速响应变化适合于高频应用，减少开关损耗。
低反向漏电流: 在25V的直流反向电压条件下，反向泄漏电流仅为2µA。这使其在需要关断状态的应用中非常可靠，有助于降低功耗。
电容特性: 在1MHz的测试频率下，BAT54WT1G在1V条件下的电容值为10pF，这一特性对于高速信号传输至关重要，可有效抑制信号损失。
广泛的工作温度范围: 该产品工作结温范围为-55°C至125°C，适用于各种极端环境条件，能够保证其在严苛条件下的可靠性和稳定性。
三、应用领域
BAT54WT1G 适合于多种应用场合，包括但不限于：
- 电源管理: 在开关电源、线性稳压电源等电源方案中，作为整流器件使用，进一步提高电源效率。
- 信号整流: 小信号整流应用中，BAT54WT1G可以有效整流信号，降低损耗，提升信号质量。
- 保护电路: 由于其出色的反向电压和低反向泄漏特性，该二极管可用作保护元件，防止电路损坏。
- RF 应用: 由于其低电容特性，该二极管在高频射频应用中表现出色，例如在射频调制解调器和无线通讯中。
四、总结
总的来说，BAT54WT1G 是一款高度集成的小信号肖特基二极管，具有出色的电气性能和广泛的应用领域。其低功耗、高效率和可靠性使其成为现代电子设计中不可或缺的组件之一。无论是在新产品开发还是在加设升级中，BAT54WT1G都能提供优良的性能表现，满足不同应用场景的需求。选择BAT54WT1G，将为您的设计增加高效、稳定的整流解决方案。