BAS116LT1G
BAS116LT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 标准 | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 75V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5nA @ 75V | 反向恢复时间 (trr) | 3µs |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
BAS116LT1G手册
BAS116LT1G概述
产品概述：BAS116LT1G 开关二极管
一、产品简介
BAS116LT1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的高性能开关二极管，其设计特别适用于高频开关应用。该二极管具备出色的电气特性和宽工作温度范围，适合各种电子电路中的信号整流和开关操作。BAS116LT1G采用了表面贴装技术（Surface Mount Technology，SMT）封装，便于自动化生产和可靠焊接，特别适合高密度电路板设计。
二、主要参数
电流和电压特性
- 平均整流电流 (Io): BAS116LT1G的平均整流能力达到200mA（DC），这意味着该二极管可以支持高达200mA的持续电流，适合多种直流电路应用。
- 正向电压 (Vf): 在150mA的正向电流下，二极管的正向电压为1.25V。这个值对于保证低功耗和高效率是十分重要的。
- 最大反向电压 (Vr): BAS116LT1G的最大反向电压为75V，这使其可以在各种电气环境中稳定工作，适合高电压应用。
开关特性
- 该二极管的反向恢复时间 (trr) 为3µs，反映了其在大频率电子信号中良好的切换性能，确保了在快速开关操作中的高效性和可靠性。
反向泄漏电流: 在75V的反向电压下，反向泄漏电流仅为5nA，表明该二极管在断开状态下具有极低的漏电特性，从而帮助提高整个电路的能量效率。
电容特性: 在0V和1MHz频率下，该二极管的电容值为2pF，这对于高频信号处理应用是相对较低的，减小了对信号传输速度的影响。
三、工作温度
BAS116LT1G的工作温度范围跨度从-55°C至150°C，使其能够在各种恶劣环境下稳定工作。这样的温度适应性非常适合汽车电子、工业控制和其它高温工作场景。
四、封装和安装
BAS116LT1G采用SOT-23-3（TO-236）封装，这种紧凑的封装形式非常适合现代电子产品对于小型化的需求。同时，表面贴装型的设计便于快速高效的贴装大规模生产，极大地降低了生产成本。
五、应用领域
BAS116LT1G广泛应用于各种需要快速切换和整流的电子场合，包括但不限于：
- RF 和高频开关电路
- 信号整流器
- 电源管理电路
- 便携式设备
- 汽车电子设备
- 工业控制系统
六、总结
BAS116LT1G开关二极管凭借其低正向电压、小信号能力、宽广的工作温度范围及高频特性，使其成为高效、可靠的电子元件，适用于现代电子设备的多种应用方案。随着电子技术的发展，选择合适的开关二极管是实现高效能电路设计的关键，而BAS116LT1G毫无疑问是市场中一个优秀的选择。其优异的电气特性与可靠性，可以为设计人员提供强有力的支持，确保其产品在竞争激烈的市场中脱颖而出。