注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF9Z24NPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 45W 55V 12A 1个P沟道 TO-220AB
库存 :
300(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.42按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.42
--
50+
￥1.09
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF9Z24NPBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 175 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF9Z24NPBF手册
无数据
IRF9Z24NPBF概述
IRF9Z24NPBF 产品概述
概述
IRF9Z24NPBF 是一款高性能 P 通道 MOSFET，具有诸多优越的电气和热性能。它专门设计用于高效率开关电源、直流-直流转换器和电动机驱动等各类应用场景。凭借其出色的参数，IRF9Z24NPBF 可为设计工程师提供卓越的稳定性和可靠性。
基本特性
FET 类型和构造
IRF9Z24NPBF 属于金属氧化物场效应管（MOSFET），采用 P 通道设计。这种设计使其能够作为开关元件在较低的栅电压下实现较高的导通性能，从而理想地用于低侧开关应用。关键电气参数
- 漏源电压（Vdss）: 55V，能够在较高电压环境下稳定工作。
- 连续漏极电流（Id）: 12A，适用于各种高电流应用。
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大值 175 毫欧 @ 7.2A, 10V，低导通电阻有助于减少功率损耗和发热。
栅极驱动特性
- Vgs(th)（阈值电压）: 最大值 4V @ 250µA，提供足够的灵敏度以确保及时开关。
- 栅极电荷（Qg）: 最大值 19nC @ 10V，栅极驱动要求较小，能够减少驱动电路的负担。
功率和热管理
- 功率耗散（Pd）: 最大 45W（保持温度条件下），使其能够适应各种温升和环境条件。
- 工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C，适用于极端环境和严苛应用。
封装与安装
- 封装类型: TO-220AB，便于散热并适合通孔安装，有助于提升产品的整体散热性能和简便的PCB布局。
应用场景
IRF9Z24NPBF 广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 高效的开关特性和较低的功耗使其理想用于AC/DC和DC/DC转换器。
- 电动机驱动: 可用于控制电动机的启停，有助于提高电动机的运行效率。
- 负载开关: 能够承受高电流的特点使其适合在家电和工业设备中作负载开关使用。
- 电源管理系统: 在各类电源管理电路中，作为高效的开关元件。
结论
总体来看，IRF9Z24NPBF 是一款极具竞争力的 P 通道 MOSFET，结合高漏源电压、高电流容量和优越的热特性，能够满足现代电子设备对元器件性能日益提升的要求。其 TO-220AB 封装方便散热和安装，使其能够广泛应用于各种电气设备中，提升其工作效率和可靠性。作为 Infineon（英飞凌）出品的优质产品，IRF9Z24NPBF 已在市场上赢得了广泛的认可和好评，成为电气工程师和设计师的首选元件之一。