IRF8714TRPBF
IRF8714TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.7 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1020pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF8714TRPBF手册
IRF8714TRPBF概述
IRF8714TRPBF 产品概述
一、产品简介
IRF8714TRPBF 是一款由著名半导体制造商 Infineon（英飞凌）推出的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计旨在满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。这款 MOSFET 特别适合高频开关及电源管理应用，具有出色的性能参数和宽广的适应性。在广泛的工作温度范围和高电流承载能力的支撑下，IRF8714TRPBF 成为各种工业和消费类电子产品的理想选择。
二、技术规格
- FET 类型： N 通道
- 技术： MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）： 30V
- 最大连续漏极电流 (Id)： 14A（在 25°C 下）
- 驱动电压：
- 最小 Rds On 驱动电压： 4.5V
- 最大 Rds On 驱动电压： 10V
- 导通电阻（Rds On）：
- 最大值： 8.7 毫欧（在 14A、10V 下）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：
- 最大值： 2.35V（在 25µA 下）
- 栅极电荷（Qg）：
- 最大值： 12nC（在 4.5V 下）
- 栅源电压（Vgs）：
- 最大值： ±20V
- 输入电容（Ciss）：
- 最大值： 1020pF（在 15V 下）
- 功率耗散：
- 最大值： 2.5W
- 工作温度范围：
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型： 表面贴装型
- 封装类型： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
三、应用场景
IRF8714TRPBF 在多种应用中表现出色，尤其在以下领域：
电源管理：该MOSFET 可以用于开关电源、直流-直流转换器和电池管理系统，以确保高效的功率转换和电源控制。
电机驱动：由于其高电流承载能力和快速的开关速度，适用于电机驱动器，例如无刷直流电机（BLDC）和步进电机控制。
汽车电子：该器件广泛应用于汽车电源管理单元、LED 驱动和电动车控制系统，具备良好的环境适应性和可靠性。
消费电子：包括计算机、游戏控制台以及移动设备，能有效管理高功率负载，保持设备的低功耗运行。
四、性能优势
IRF8714TRPBF 的设计遵循了低导通电阻和快速开关特性，使其在高频应用中具有优良的效率表现。其最大导通电阻仅为 8.7 毫欧，使得在传输高电流时损耗极小，提升了整体系统的能效。宽广的 Vgs 和 Vdss 工作范围保证了该器件可以在苛刻的电气环境中稳定工作。此外，其卓越的工作温度范围 (-55°C 至 150°C) 确保了在极端环境下的可靠性，满足了汽车和工业等高要求应用的标准。
五、结论
凭借其卓越的技术参数和高度的适应性，IRF8714TRPBF 不仅减小了系统的体积和降低了能耗，还提升了产品的总体性能。无论是用于开关电源、电动机控制，还是广泛的工业和消费类电子产品中，IRF8714TRPBF 都是您的理想选择。 Infineon 的技术优势和品牌信誉为该产品提供了额外的保障，确保工程师在设计电路时能够高枕无忧，专注于创新与性能提升。