PMBF170,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PMBF170,215

商品编码: BM69419165
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 830mW 60V 300mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
15513(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.319
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.319
--
200+
¥0.206
--
1500+
¥0.179
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMBF170,215参数

制造商Nexperia USA Inc.系列TrenchMOS™
包装卷带(TR)零件状态有源
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)300mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 欧姆 @ 500mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
Vgs(最大值)±20V功率耗散(最大值)830mW(Tc)
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-236AB封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源电压(Vdss)60V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)40pF @ 10V

PMBF170,215手册

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PMBF170,215概述

产品概述:PMBF170,215 MOSFET

一、基本介绍

PMBF170和PMBF215是Nexperia(安世)公司生产的N通道MOSFET(场效应管),隶属于TrenchMOS™系列。这些元器件广泛应用于各种电子电路,特别是在低功率和高开关频率的应用中。PMBF170和PMBF215以其出色的电气性能和优良的工作稳定性,在消费电子、通信设备及工业控制等领域得到了广泛应用。

二、主要特点

  1. 电流与电压规格

    • 最大连续漏极电流(Id):300mA(在25°C环境温度下)。
    • 漏源电压(Vdss):60V,这使得PMBF170和PMBF215能够在多种电源环境中工作而不易受损。
  2. 导通电阻与开关性能

    • 不同Id、Vgs下的最大导通电阻(Rds(On))为5Ω(在10V、500mA条件下),这使得器件在导通时具有较低的损耗,适合高效率的电源管理。
    • 提供了一定的Vgs(th)(阈值电压),最大值为2V@1mA,确保在低电压驱动条件下能够稳定导通。
  3. 功率耗散能力

    • 最大功率耗散(Pd)为830mW(在Tc条件下),使得器件在更高的负载条件下仍能保持良好的散热性能。
  4. 工作温度范围

    • 具有宽广的工作温度范围,从-65°C到150°C(TJ),这表明PMBF170和PMBF215能够适应各种极端工作环境。
  5. 封装与安装

    • 采用SOT-23(TO-236AB)封装,具有体积小、易于表面贴装的特点,适合现代电子产品设计的紧凑需求。
  6. 电容特性

    • 输入电容(Ciss)最大值为40pF@10V,确保高速开关操作时的快速响应与低延迟。

三、应用领域

PMBF170和PMBF215 MOSFET的优异特性使它们非常适合以下应用:

  1. 开关电源

    • 在电源转换电路中,作为开关元件,用于高效的电能转换。
  2. 负载开关

    • 在微控制器驱动的应用中,用于直接控制外部负载的开/关。
  3. 音频开关

    • 在音频设备中,作为信号开关处理音频信号,保证音质的同时降低功耗。
  4. 信号放大

    • 在射频和低功耗的信号调制解调器中,作为输入级增益元器件,提高信号传输效率。
  5. 自动化设备

    • 在工业自动化中的控制电路,协助实现精确的电流控制操作。

四、结论

综上所述,PMBF170和PMBF215是Nexperia公司推出的一款高性能N通道MOSFET,凭借其出色的电气性能、宽广的工作温度范围和低导通电阻,成为了各种电子电路中的理想选择。在设计低功耗、高效率的电子产品时,这些MOSFET无疑提供了优秀的解决方案。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制等领域,PMBF170和PMBF215都有着广阔的应用前景。