晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 420 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
产品简介
BC848CLT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 NPN 型三极管,采用表面贴装型封装 SOT-23-3(TO-236)。凭借其优良的电气特性和广泛的应用,BC848CLT1G 一直以来都是电子设计中非常受欢迎的选择,特别在低功耗信号放大、开关控制等领域。
基本参数
电气特性分析
BC848CLT1G 的电气特性使其适用于多种电子应用。它的最大集电极电流达到 100mA,足以满足大部分小信号放大以及开关操作需求。该三极管的 Vce 最大击穿电压为 30V,意味着它可以在较高电压下安全工作,适合在较高电压环境中使用。
饱和压降(Vce_sat)为 600mV,这在放大电路中是较低的,有助于提高能效。DC 电流增益 (hFE) 的最小值为 420,说明在较小的基极电流下,能够控制较大的集电极电流,提供良好的放大效能。此外,低截止电流(ICBO,仅 15nA)意味着在闭合状态下几乎没有浪费电流,提高了整体能效。
工作环境和应用场景
BC848CLT1G 的宽工作温度范围(-55°C 至 150°C)使得它能够在极端环境中稳定工作。因此,它被广泛应用于航天、汽车电子及工业控制等领域的高可靠性产品中。
由于其较高的频率跃迁特性(高达 100MHz),该三极管适用于高频信号的处理,因此在音频放大器、射频放大器、调制解调器和其他通信设备中的应用也颇为广泛。这些特性使得 BC848CLT1G 适合作为开关元件、信号放大器和逻辑控制单元等。
封装与安装
BC848CLT1G 采用 SOT-23-3 封装,适用于表面贴装技术(SMT),为现代电子组合和小型化设计提供了便利。这种封装的优势在于其小型、轻量化,适合高密度电路板的布局。
总结
BC848CLT1G 是一款功能强大的 NPN 三极管,凭借其优异的增益特性、低功耗和广泛的温度适应性,成为了电子设计中的一款理想元器件。对于需要同时兼顾性能与可靠性的应用场景,BC848CLT1G 是值得考虑的方案。产品的多样化特性使得其适用于多种不同的电子产品中,无论是消费类电子、工业设备还是汽车电子,均可见其身影。