BC848CLT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC848CLT1G

商品编码: BM69419150
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 30V 100mA NPN SOT-23
库存 :
36462(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.534
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.534
--
200+
¥0.179
--
1500+
¥0.111
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC848CLT1G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)30V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)420 @ 2mA,5V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

BC848CLT1G手册

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BC848CLT1G概述

BC848CLT1G 产品概述

产品简介

BC848CLT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 NPN 型三极管,采用表面贴装型封装 SOT-23-3(TO-236)。凭借其优良的电气特性和广泛的应用,BC848CLT1G 一直以来都是电子设计中非常受欢迎的选择,特别在低功耗信号放大、开关控制等领域。

基本参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极最大电流 (Ic): 100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 30V
  • 饱和压降 (Vce_sat): 最大 600mV (在 Ib = 5mA 和 Ic = 100mA 时)
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大 15nA
  • DC 电流增益 (hFE): 最小值 420 (在 Ic = 2mA, Vce = 5V 时)
  • 功率最大值: 300mW
  • 频率跃迁: 100MHz
  • 工作温度范围: -55°C 到 150°C
  • 封装类型: SOT-23-3(TO-236)
  • 安装方式: 表面贴装型

电气特性分析

BC848CLT1G 的电气特性使其适用于多种电子应用。它的最大集电极电流达到 100mA,足以满足大部分小信号放大以及开关操作需求。该三极管的 Vce 最大击穿电压为 30V,意味着它可以在较高电压下安全工作,适合在较高电压环境中使用。

饱和压降(Vce_sat)为 600mV,这在放大电路中是较低的,有助于提高能效。DC 电流增益 (hFE) 的最小值为 420,说明在较小的基极电流下,能够控制较大的集电极电流,提供良好的放大效能。此外,低截止电流(ICBO,仅 15nA)意味着在闭合状态下几乎没有浪费电流,提高了整体能效。

工作环境和应用场景

BC848CLT1G 的宽工作温度范围(-55°C 至 150°C)使得它能够在极端环境中稳定工作。因此,它被广泛应用于航天、汽车电子及工业控制等领域的高可靠性产品中。

由于其较高的频率跃迁特性(高达 100MHz),该三极管适用于高频信号的处理,因此在音频放大器、射频放大器、调制解调器和其他通信设备中的应用也颇为广泛。这些特性使得 BC848CLT1G 适合作为开关元件、信号放大器和逻辑控制单元等。

封装与安装

BC848CLT1G 采用 SOT-23-3 封装,适用于表面贴装技术(SMT),为现代电子组合和小型化设计提供了便利。这种封装的优势在于其小型、轻量化,适合高密度电路板的布局。

总结

BC848CLT1G 是一款功能强大的 NPN 三极管,凭借其优异的增益特性、低功耗和广泛的温度适应性,成为了电子设计中的一款理想元器件。对于需要同时兼顾性能与可靠性的应用场景,BC848CLT1G 是值得考虑的方案。产品的多样化特性使得其适用于多种不同的电子产品中,无论是消费类电子、工业设备还是汽车电子,均可见其身影。