AONS66402 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AONS66402

商品编码: BM69419145
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN5x6-8L EP1
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 6.2W;119W 40V 85A;49A 1个N沟道 DFN-8(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
5.65
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.65
--
100+
¥4.71
--
750+
¥4.36
--
1500+
¥4.16
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AONS66402参数

功率(Pd)119W反向传输电容(Crss@Vds)75pF@20V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.3mΩ@4.5V,20A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)33nC@4.5V
漏源电压(Vdss)40V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)5.57nF@20V连续漏极电流(Id)210A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@250uA

AONS66402手册

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AONS66402概述

AONS66402 产品概述

一、产品简介

AONS66402是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由AOS(Alpha & Omega Semiconductor)制造,旨在满足现代电源管理和电力转换应用的需求。该器件采用先进的半导体工艺,拥有出色的导电性能和热管理特性,适用于需要高功率和高效率的线路设计。

二、规格参数

  • 类型: N沟道MOSFET
  • 最大功率: 6.2W (FET特性)
  • 额定电压: 40V
  • 漏极电流: 85A (最大值), 49A (持续电流)
  • 封装类型: DFN-8 (5x6mm)
  • 工作温度范围: -55°C至+150°C
  • 门极电压: ±20V

三、器件特点

  1. 高效率: AONS66402 MOSFET采用低RDS(on)设计,其导通电阻极低,使得器件在高电流条件下仍能保持低的功耗,显著降低能量损耗。

  2. 高电流承载能力: 本产品额定漏极电流高达85A,持续工作电流49A,适合于高功率的应用场合。这一特性为设计人员提供了灵活性,使其能够在更小的空间内有效管理电力。

  3. 小巧封装: DFN-5x6-8L EP1封装占用空间小,适合于要求高集成度和小型化设计的现代电子设备,如DC-DC转换器和电动工具。这一封装形式还提高了散热性能。

  4. 宽温工作范围: AONS66402的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,使其在不同的环境条件下均能稳定工作,适合各种严苛的应用场景,如汽车电子和工业控制。

  5. 低门极驱动电压: 驱动门极电压可达到±20V,确保在多种电压环境下的兼容性,简化驱动电路设计。

四、适用应用

AONS66402因其卓越的性能,适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • DC-DC转换器: 在电源管理系统中,该MOSFET能够有效提升转换效率,降低发热量,延长设备使用寿命。
  • 电动机驱动器: 在电动工具和电动车辆中,AONS66402满足高电流要求,确保电动机稳定运行。
  • 照明和LED驱动: 用于LED灯具驱动中,高效的MOSFET能够更好地管理输出电流,确保光源的稳定和效率。
  • 电源适配器: 在小型电源适配器中,其高电流能力与小型封装相结合,非常适合便携式设备。

五、应用优势

选择AONS66402作为设计方案的元件,设计师可以享受以下优势:

  1. 散热改善: 小封装设计搭配高导电性材料,提升散热效率,适合高功率应用。

  2. 高性价比: AONS66402具有较高的可靠性与长寿命,减少了因元件故障导致的维修成本。

  3. 灵活设计: 多种应用场景的兼容性,使得设计师能够将其迅速应用到不同的产品中,缩短产品开发周期。

六、总结

AONS66402是一款兼具高性能、低功耗和高可靠性的N沟道场效应管,适合各种高端电源管理和电力转换应用。通过其卓越的电气特性和适应能力,AONS66402为设计师提供了理想的解决方案,推动了现代电子产品的高效能和小型化设计趋势。无论在何种应用中,AONS66402都能助力实现更智能、更节能的创新产品。