功率(Pd) | 119W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 75pF@20V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3mΩ@4.5V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 33nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.57nF@20V | 连续漏极电流(Id) | 210A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
AONS66402是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由AOS(Alpha & Omega Semiconductor)制造,旨在满足现代电源管理和电力转换应用的需求。该器件采用先进的半导体工艺,拥有出色的导电性能和热管理特性,适用于需要高功率和高效率的线路设计。
高效率: AONS66402 MOSFET采用低RDS(on)设计,其导通电阻极低,使得器件在高电流条件下仍能保持低的功耗,显著降低能量损耗。
高电流承载能力: 本产品额定漏极电流高达85A,持续工作电流49A,适合于高功率的应用场合。这一特性为设计人员提供了灵活性,使其能够在更小的空间内有效管理电力。
小巧封装: DFN-5x6-8L EP1封装占用空间小,适合于要求高集成度和小型化设计的现代电子设备,如DC-DC转换器和电动工具。这一封装形式还提高了散热性能。
宽温工作范围: AONS66402的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,使其在不同的环境条件下均能稳定工作,适合各种严苛的应用场景,如汽车电子和工业控制。
低门极驱动电压: 驱动门极电压可达到±20V,确保在多种电压环境下的兼容性,简化驱动电路设计。
AONS66402因其卓越的性能,适用于多种应用场景,包括但不限于:
选择AONS66402作为设计方案的元件,设计师可以享受以下优势:
散热改善: 小封装设计搭配高导电性材料,提升散热效率,适合高功率应用。
高性价比: AONS66402具有较高的可靠性与长寿命,减少了因元件故障导致的维修成本。
灵活设计: 多种应用场景的兼容性,使得设计师能够将其迅速应用到不同的产品中,缩短产品开发周期。
AONS66402是一款兼具高性能、低功耗和高可靠性的N沟道场效应管,适合各种高端电源管理和电力转换应用。通过其卓越的电气特性和适应能力,AONS66402为设计师提供了理想的解决方案,推动了现代电子产品的高效能和小型化设计趋势。无论在何种应用中,AONS66402都能助力实现更智能、更节能的创新产品。