ESD8351XV2T1G 产品实物图片
ESD8351XV2T1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ESD8351XV2T1G

商品编码: BM69419138
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOD-923
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
Diode: TVS; 7V; SOD523; reel,tape; Features: ESD protection; Ch: 1
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.13
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.13
--
200+
¥0.867
--
1500+
¥0.754
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

ESD8351XV2T1G参数

类型齐纳单向通道1
电压 - 反向断态(典型值)3.3V(最大)电压 - 击穿(最小值)5.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)11.2V电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)5A(8/20µs)
电源线路保护应用通用
不同频率时电容0.37pF @ 1MHz工作温度-55°C ~ 125°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-79,SOD-523
供应商器件封装SOD-523

ESD8351XV2T1G手册

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ESD8351XV2T1G概述

产品概述:ESD8351XV2T1G

一、产品概述

ESD8351XV2T1G 是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能齐纳二极管,专门用于电压瞬态抑制(TVS)。该器件采用SOD-523封装,适合表面贴装,广泛应用于固定电压保护和静电放电(ESD)防护领域。它具备优异的瞬态电压抑制能力和高耐受性,确保应用系统在面对电压尖峰时的稳定性和安全性。

二、基础参数

  1. 类型:齐纳二极管
  2. 单向通道:1
  3. 反向电压
    • 典型值:3.3V(最大)
    • 击穿电压:5.5V(最小值)
  4. 电压-箝位
    • 最大值:11.2V(在不同Ipp条件下)
  5. 峰值脉冲电流:5A(采用10/1000µs脉冲或8/20µs脉冲)
  6. 电源线路保护:无(适合于专用线路保护设计需求)
  7. 应用:通用
  8. 频率特性:在1MHz下具有0.37pF的电容特性
  9. 工作温度范围:-55°C到125°C
  10. 封装/外壳标准:SC-79、SOD-523以及供应商器件封装为SOD-523

三、产品特性

ESD8351XV2T1G具备以下显著特性:

  • 高温工作范围:广泛的工作温度范围使其适用于多种环境,特别是在需要耐高温或低温的工业应用中表现出色。
  • 优秀的电压抑制能力:其击穿电压为5.5V,能够在高频条件下有效保护电路,防止过压导致的损害。
  • 快速响应时间:该二极管能够快速响应电压尖峰,让电路的电压稳定在安全范围,从而有效防止静电放电造成电路故障。
  • 小型封装设计:SOD-523封装体积小、重量轻,便于集成在空间有限的电路板设计中,并适合高密度的电子产品。
  • 广泛的应用场景:能适用于多种电子设备中的ESD保护,包括但不限于移动设备、计算机周边设备、网络设备以及工业自动化领域。

四、应用领域

ESD8351XV2T1G设计用于以下应用领域:

  • 消费电子:例如智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等需要防护静电放电和过电压的消费类电子产品。
  • 计算机和网络硬件:在电脑、打印机以及其他外设中,为数据接口和电源提供瞬态电压保护。
  • 工业控制:适用于工业自动化设备、传感器接口以及PLC系统,降低过电压对设备的危害。
  • 通信设备:能够在移动通信基站和无线电通信系统中有效保护敏感组件,避免因瞬态电压引发的故障。

五、总结

ESD8351XV2T1G是一款高可靠、高性能的齐纳二极管,为各种电子设备提供强有力的电压抑制和过压保护。它轻巧的SOD-523封装设计、广泛的工作温度范围以及强大的瞬态响应能力使其在ESD防护领域中脱颖而出。此外,凭借其通用性强的应用场景,ESD8351XV2T1G成为现代电子产品设计中不可或缺的重要组成部分,确保设备在极端条件下仍能稳定运行。

在选择电压抑制和ESD保护器件时,ESD8351XV2T1G绝对是设计师的理想选择。