类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 3.3V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 5.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 11.2V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 5A(8/20µs) |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 0.37pF @ 1MHz | 工作温度 | -55°C ~ 125°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
供应商器件封装 | SOD-523 |
ESD8351XV2T1G 是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能齐纳二极管,专门用于电压瞬态抑制(TVS)。该器件采用SOD-523封装,适合表面贴装,广泛应用于固定电压保护和静电放电(ESD)防护领域。它具备优异的瞬态电压抑制能力和高耐受性,确保应用系统在面对电压尖峰时的稳定性和安全性。
ESD8351XV2T1G具备以下显著特性:
ESD8351XV2T1G设计用于以下应用领域:
ESD8351XV2T1G是一款高可靠、高性能的齐纳二极管,为各种电子设备提供强有力的电压抑制和过压保护。它轻巧的SOD-523封装设计、广泛的工作温度范围以及强大的瞬态响应能力使其在ESD防护领域中脱颖而出。此外,凭借其通用性强的应用场景,ESD8351XV2T1G成为现代电子产品设计中不可或缺的重要组成部分,确保设备在极端条件下仍能稳定运行。
在选择电压抑制和ESD保护器件时,ESD8351XV2T1G绝对是设计师的理想选择。