制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 140 @ 100mA,2V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 | 供应商器件封装 | EMT3 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
频率 - 跃迁 | 260MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
基本产品编号 | DTD523 |
基本信息
DTD523YETL 是一款由 Rohm Semiconductor 生产的高性能数字晶体管,其采用了 NPN 预偏置结构,适用于各种数字电路及信号处理应用。该产品具有优越的电气性能和小型的封装设计,满足现代电子设备对高效率和小型化的需求。
产品特点
结构与封装
DTD523YETL 采用 SC-75 (SOT-416) 封装,属于表面贴装型器件。这种小型封装使其非常适合于空间受限的应用场景,如移动设备、可穿戴设备及其他紧凑型电子产品。
电气性能
增益特性
DTD523YETL 在不同工作条件下表现出优良的电流增益特性。当集电极电流为 100mA,基极电流为 5mA 时,其直流电流增益 (hFE) 的最小值达到 140,提供强大的信号放大能力,适合用于驱动高负载的场景。
饱和压降
在处理电流时,基极和集电极之间的饱和压降最大值为 300mV,意味着在开关操作时损耗非常小,有助于提高电路的整体效率。
截止电流特性
DTD523YETL 的集电极截止电流最大值仅为 500nA,这说明其在关断状态下能够保持极低的漏电流,对电池供电型设备更为友好,有效延长设备的运行时间。
电阻特性
该器件的基极电阻 R1 设置为 2.2 kΩ,发射极电阻 R2 为 10 kΩ,这样的配置使得晶体管在开关及放大状态下的控制更为精准,确保信号的稳定性。
应用场景
由于其卓越的性能和小型化的封装,DTD523YETL 特别适合于各种电子产品和电路的应用,包括:
总结
DTD523YETL 是一款功能强大且灵活的数字晶体管设备,其出色的电气性能和小型化设计使其能够广泛应用于现代电子设备中。无论是在高频信号处理,还是在高负载驱动场合,DTD523YETL 都能够提供可靠的性能。因此,选择 DTD523YETL 将为电子设计带来许多便利,满足设计师对高效能和高集成度的需求。