IRF9610PBF
IRF9610PBF参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 900mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 20W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 170pF @ 25V |
| 基本产品编号 | IRF9610 |
IRF9610PBF手册
IRF9610PBF概述
IRF9610PBF 产品概述
IRF9610PBF 是由 Vishay Siliconix 制造的一款高性能 P 通道 MOSFET（场效应管），广泛用于各种电子应用中，尤其是在需要较高功率和较高电压的场景下。该器件采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能和优惠的电气特性，使其成为电源管理、开关电路以及电机驱动等行业的理想选择。
主要技术参数
电流特性：IRF9610 在 25°C 的条件下，具有连续漏极电流 (Id) 为 1.8A，适合各种低功率应用。此项数值确保了该器件在正常工作条件下的可靠性。
电压特性：该器件的漏源电压 (Vdss) 为 200V，满足许多高电压应用的要求，它能够应对瞬态电压的冲击，从而提高了系统的稳定性和安全性。
导通电阻：在 10V 的驱动电压下，IRF9610 的导通电阻 (Rds On) 最大可达 3Ω @ 900mA，提供了良好的传导性能，减少了功率损耗，提高了能源效率。
电流与栅极电压的特性：该器件具有 Vgs(th)（栅极阈值电压）最大值为 4V @ 250µA，适应多种控制信号的电压要求。Vgs 的最大值为 ±20V，使得器件能够适应较宽的栅极驱动范围。
功耗和工作温度：IRF9610 支持 20W 的功率耗散（在 Tc 条件下），并可在 -55°C 到 150°C 的工作温度范围内稳定运行，适用于极端环境的工业应用。
电荷与电容特性：器件在 10V 驱动下的栅极电荷 (Qg) 为 11nC，输入电容 (Ciss) 最大值为 170pF @ 25V，这意味着在快速开关操作中，IRF9610 能够有效地降低驱动损耗，提高开关速度。
应用领域
IRF9610PBF 广泛应用于多种电子设备，特别是：
- 电源转换器：利用其高电压和高电流承载能力，IRF9610 可用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块，以实现高效的电源管理。
- 电机驱动：在电机控制系统中，该 MOSFET 能够提供所需的电流和电压，以便于实现精确控制和驱动电机。
- 开关电路：可以在各种开关电源电路中作为开关元件，保证较高的开关效率和稳定性。
- 功率放大器：运用在需要放大电信号的应用中，以实现获取更高的功率输出。
总结
综上所述，IRF9610PBF 是一款性能卓越的 P 通道 MOSFET，具备高电压、高电流和低功耗的特点，适合用于多种现代电子应用。其优秀的温度范围和稳定性不仅使其成为工业产品和消费电子的理想选择，同时也对系统的整体效率和可靠性起到重要作用。对于设计工程师来说，选择 IRF9610PBF 将有助于提高电子产品的性能和市场竞争力。