驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.7V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 1.9A,2.3A | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 40ns,20ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 供应商器件封装 | 8-PDIP |
基本信息
IR2184PBF 是由英飞凌(Infineon)出品的一款高性能栅极驱动器,设计用于驱动半桥配置的功率MOSFET或IGBT。该产品在驱动配置、工作电压及温度范围等方面具有优良性能,使其广泛应用于电机控制、逆变器、开关电源等高压应用领域。
驱动配置 和 功能特性
IR2184PBF 驱动器采用半桥驱动配置,具有双通道的独立驱动功能,能够同时控制上、下管的开关,极大地提高了功率转换效率。该驱动器支持使用IGBT或N沟道MOSFET进行开关控制,确保了用户灵活的选择和应用。
该驱动器的供电电压范围为10V至20V,使其兼容各类高压应用。在栅极驱动方面,其峰值输出电流可达到1.9A(灌入)和2.3A(拉出),为功率元件提供了强大的栅极充放电能力,以保证快速的开关性能,降低开关损耗。
高压兼容性与自举功能
IR2184PBF 具备高压侧电压的最大自举能力为600V,使其能够在高压应用中安全、稳定地运行。自举功能支持提升高侧驱动器的栅极电压,把高侧MOSFET或IGBT的栅极电压提升到所需的驱动电平,对于电机控制和逆变器等应用至关重要。
时序特性
该驱动器的上升和下降时间非常优越,典型值为40ns和20ns,确保了快速响应和高频率开关操作。这种快速的转换能力使其在高频应用中能够降低电磁干扰(EMI),保持系统的稳定性和高效性。
逻辑电平与输入特性
IR2184PBF 具有非反相输入类型,逻辑电压的输入阈值(VIL: 0.8V,VIH: 2.7V)使其与各种控制电路兼容。无论是来自微控制器还是FPGA,IR2184PBF 都能够实现简易的整合与控制。
温度范围
IR2184PBF 的工作温度范围为-40°C至150°C,适合在严苛环境下使用。这样的宽温度范围不仅保证了设备的长期稳定运行,也提高了其在汽车、工业、航天等高温应用领域的适应性。
封装与安装方式
该产品采用 PDIP-8 封装,具有较强的机械强度及较好的散热性能,易于在各种电路板上实现通孔安装,方便集成与维护。PDIP-8 封装还能够为设计带来更好的布局和空间利用率,使其在更小的电路设计中得以采用。
应用领域
IR2184PBF 广泛应用于电机控制、电源转换、推进逆变器、音频放大器及照明控制等多个领域。由于其出色的性能与灵活的兼容性,该款驱动器成为了工程师们优先选择的元器件之一。
总结
总的来说,IR2184PBF 是一款性能优越且应用灵活的栅极驱动器,适用于各种高压电源系统。凭借其卓越的驱动能力、高温稳定性以及广泛的兼容性,IR2184PBF 能够为多个复杂应用提供可靠的解决方案,为电气工程师在现代电力电子设计中提供了强有力的支持。