BSS806NH6327XTSA1
BSS806NH6327XTSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，2.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 57 毫欧 @ 2.3A，2.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 750mV @ 11µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.7nC @ 2.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 529pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS806NH6327XTSA1手册
BSS806NH6327XTSA1概述
BSS806NH6327XTSA1 产品概述
产品名称: BSS806NH6327XTSA1
品牌: Infineon (英飞凌)
类型: N 通道 MOSFET
封装: SOT-23-3
一、产品背景
BSS806NH6327XTSA1 是 Infineon 提供的一款 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），作为高性能电子开关，其在电源管理和信号调节领域得到了广泛应用。MOSFET 的优越性能使其成为电源转换、电机驱动、负载开关等应用中的理想选择。
二、基本参数
漏源电压 (Vdss): 该器件支持的最大漏源电压为 20V，使其适合低压应用，可靠性高。
最大连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境条件下，BSS806NH6327XTSA1 具备最高 2.3A 的连续漏极电流，确保在中等负载条件下稳定工作。
驱动电压: 在 1.8V 至 2.5V 的驱动电压范围内，该器件可提供最小的导通电阻（Rds On），使得功耗更低，提升了系统效率。
导通电阻 (Rds On): 在 2.3A 和 2.5V 的条件下，最大导通电阻为 57 毫欧，表现出较低的导通损耗，使得该器件能够高效地传递电流。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 750mV（在 11µA 时），该特性对于提升开关速度和降低开关损耗至关重要。
栅极电荷 (Qg): 在 2.5V 的栅极电压下，最大栅极电荷为 1.7nC，这表示该 MOSFET 在切换时所需的驱动能量较小，能够有效降低驱动电路的复杂性。
输入电容 (Ciss): 在 10V 时，输入电容最大值为 529pF，有助于提高电路的响应速度和降低开关延迟。
工作温度范围: 器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
功率耗散: 最大功率耗散为 500mW（在 25°C 环境条件下），这个参数确保了该组件在高负载条件下的安全性和可靠性。
三、应用
BSS806NH6327XTSA1 被广泛应用于以下领域：
电源管理: 适合用于 DC-DC 转换器、LED 驱动器等电源管理应用中，通过高效率的电源转换技术，提升整体系统性能。
负载开关控制: 由于其快速切换特性，理想用于各种负载开关电路，如电机驱动和工业自动化。
信号开关应用: 在各种信号处理和控制电路中，BSS806NH6327XTSA1 也表现出色，满足快速开关的需求。
四、优点
高效率: 低导通电阻和快速开关能力使其在各类应用中提供高效率，降低系统能量损失。
可靠性高: 宽广的工作温度范围和较高的功率耗散能力使其适合在各种工况下使用。
小型封装: SOT-23-3 封装使得其在空间受限的电路板上也能轻松集成，满足现代电子设备对小型化设计的要求。
五、总结
BSS806NH6327XTSA1 是一款性能卓越的小型 N 通道 MOSFET，具备良好的电气特性和广泛的应用潜力，非常适合高效能电源管理及开关应用。其低导通电阻和较高的电流承载能力，确保了在各种条件下的稳定性能，是设计师和工程师在开发新一代电子产品时值得考虑的理想选择。