BC850CLT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC850CLT1G

商品编码: BM69419116
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 225mW 45V 100mA NPN SOT-23
库存 :
1(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.503
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.503
--
200+
¥0.167
--
1500+
¥0.105
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC850CLT1G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)420 @ 2mA,5V
功率 - 最大值225mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

BC850CLT1G手册

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BC850CLT1G概述

BC850CLT1G 产品概述

概述

BC850CLT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能 NPN 型双极型晶体管(BJT),广泛应用于中低功率放大和开关电路中。作为一种表面贴装型器件,它具有紧凑的 SOT-23-3 (TO-236)封装,适合于空间有限的电子设备。这款晶体管的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,使其在恶劣的环境条件下依然能够稳定工作,适合于汽车电子、工业控制以及消费电子等领域。

主要特性

  • 晶体管类型: NPN,适合用于各种开关和放大应用。
  • 集电极电流(Ic): 最大可以承受 ±100mA,满足了中等功率的需求。
  • 集射极击穿电压(Vce(max)): 最大 45V,适合于大部分低压应用。
  • 饱和压降(Vce(sat)): 在 5mA 和 100mA 的工作电流下,Vce 饱和压降最大为 600mV,能够确保高效的电流传导和减少能量损耗。
  • 集电极截止电流(ICBO): 最大值为 15nA,提供了良好的电流开关特性,确保电路的高效率。
  • 直流电流增益(hFE): 在 2mA 和 5V 的条件下,最小值可达到 420,证明其在放大应用中的有效性。
  • 功率容量: 最大功率为 225mW,适合于多种电路设计中的功率需求。
  • 频率响应: 最高跃迁频率为 100MHz,适合高频信号的应用,确保良好的信号处理能力。

封装与安装

BC850CLT1G 使用 SOT-23-3(TO-236)交通的封装方式,具有小型化和表面贴装设计,便于现代高密度电路板的集成。其紧凑的尺寸特性有助于降低组件占据的空间,提高整体产品的设计灵活性和可布局性。

应用领域

BC850CLT1G 凭借其优异的性能,广泛应用于以下领域:

  1. 汽车电子: 在汽车控制单元、传感器和驱动电路中,可以提升系统的可靠性。
  2. 工业控制: 用于电机控制、电源管理等工业设备中,保证良好的信号放大与切换功能。
  3. 消费电子: 如音频放大器和射频信号放大器等产品的构建中,提供可靠的电信号放大。
  4. 通信设备: 在信号处理和调制解调器等应用中发挥重要作用,尤其是在高频电路设计中。

整理与结论

BC850CLT1G 以其卓越的电气性能和高可靠性,成为了现代电子设备中常用的 NPN 型晶体管之一。设计工程师可以依靠其稳定性和高效能,满足多种应用场景中的需求。

其高增益、低饱和压降以及广泛的工作温度范围,确保了在各种操作条件下的优异表现。这款晶体管的多功能性使其不仅适用于简单的开关电路,还能在复杂的放大电路中发挥重要作用。无论是在汽车、工业还是消费领域,都可发挥其应有的性能。结合其紧凑的封装特性,BC850CLT1G 是解决现代电子应用中设计挑战的理想选项。