晶体管类型 | 2 NPN(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 380mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
BC847BDW1T1G 是一款高性能NPN型双晶体管,主要用于低功耗和高频应用。其可工作的电流和电压范围使其适合用于多种电子电路,包括放大器、开关和信号处理器。作为安森美(ON Semiconductor)公司的一款标志性产品,BC847BDW1T1G不仅在电气性能方面表现优异,而且采用了表面贴装(SMT)技术,极大地提高了安装的便利性和效率。
晶体管类型: NPN(双晶体管),适合多种增幅和开关应用。
最大集电极电流 (Ic): 100mA,这为电路设计师提供了足够的电流容限,满足大多数应用需求。
最大集射极击穿电压 (Vce): 45V,确保在高电压环境下的稳定运行,适用于电源管理和电机控制等高压应用。
Vce 饱和压降: 600mV(在5mA和100mA时测得),这意味着在正常工作条件下,晶体管的能耗较低,有助于提升系统的整体效率。
集电极截止电流 (ICBO): 最大值为15nA,这确保了在关断状态时,器件漏电流非常小,从而增强了电路的稳定性和可靠性。
DC电流增益 (hFE): 在2mA和5V条件下,最小增益为200,显示出其良好的放大性能,适合用于信号放大和开关应用中。
功率处理能力: 最大380mW,使其适合于中等功率应用。
频率特性: 频率跃迁可达100MHz,适合高速开关和射频应用,增强了其灵活性。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ),支持广泛的应用环境,包括极端气温,因此特别适合航空航天、汽车电子和工业设备。
安装类型: 表面贴装型(SOT-363),便于自动化生产。
封装/外壳: 采用SC-88/SC70-6/SOT-363封装,体积小巧,适合高密度电路设计。
BC847BDW1T1G适用于广泛的应用领域,包括但不限于:
BC847BDW1T1G是一款设计精良、性能稳定的NPN双晶体管,涵盖了多个工程应用,不论是消费电子、汽车电子还是工业设备,都能够展现出卓越的性能和可靠性。其高效的电气参数最大化了设计灵活性,成为电子设计师的重要选择。