制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 300µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 | 供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
功率 - 最大值 | 200mW | 基本产品编号 | DTC114 |
DTC114YET1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高性能数字NPN晶体管,专为表面贴装应用而设计。该器件采用SC-75(SOT-416)封装,具有小型化和高效能的特点,广泛应用于各类电子设备中。
DTC114YET1G的主要电气规格包括最大集电极电流(Ic)为100mA,最大集射极击穿电压(Vce)为50V,同时功耗的最大值可达200mW。这些参数使得该晶体管在多种应用场合下都能稳定工作,满足不同电流和电压要求的电路设计。
该器件的直流电流增益(hFE)在5mA差流时最小值为80,能够为设计提供足够的放大能力。Vce饱和压降在300µA到10mA的范围内,最大值为250mV,这意味着在进行开关操作时,该晶体管能够提供较低的功耗和热损耗,为电路的高效运行提供良好的条件。
此外,DTC114YET1G的集电极截止电流最大为500nA,这在关断状态下有效降低了漏电流,确保了电路的能效和可靠性。
DTC114YET1G作为一款预偏置型晶体管,其内部集成了Biasing电路,简化了设计复杂度。具体而言,基极电阻(R1)为10kOhms,发射极电阻(R2)为47kOhms的设计使得设备在不同工作条件下仍能保持出色的性能。
由于其优异的电气特性与小巧的封装,DTC114YET1G非常适合应用于各种数字电路、信号处理、开关控制以及低功耗的电源管理设计。它广泛应用于消费类电子产品、工业电子设备、汽车电子等领域,为产品的miniaturization(小型化)和高效能提供了解决方案。
DTC114YET1G采用表面贴装型(SMD)安装方式,便于自动化生产并具有较好的散热性能。SC-75(SOT-416)封装的设计不仅占用的PCB空间小,还能满足现代电子产品日益追求的小型、轻量化特点,有利于提高生产效率与减少材料成本。
综上所述,DTC114YET1G是一款高效、可靠的NPN数字晶体管,应用广泛并适应现代电子设备的发展趋势。其最低增益、弱漏电流及预偏置特性使其在各类电路中均能稳定运行,成为工程师、设计师在电路设计中不可或缺的电子元件。无论是在设计新的电源管理系统还是精密信号处理电路时,DTC114YET1G都能为电子工程师提供灵活且高效的解决方案。