安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 0V,1MHz |
二极管类型 | 标准 | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
电流 - 平均整流 (Io) | 200mA(DC) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 200mA |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 250V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 200V | 反向恢复时间 (trr) | 50ns |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
产品简介 BAS21LT3G是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能小信号开关二极管,采用表面贴装技术(SMD),封装形式为SOT-23-3(也称为TO-236-3或SC-59),该二极管设计用于多种电子应用,包括信号整流、开关和反馈电路等。其优秀的参数和稳定的性能使其适用于各种高频和高压环境。
电气特性 BAS21LT3G的主要电气特性包括:
频率响应 BAS21LT3G在1MHz时的电容值为5pF @ 0V,适合用于高频信号处理。其小信号特性和快速反应时间使其在射频(RF)应用中表现出色,能够处理快速变化的信号而不会显著失真。
工作温度范围 该器件的工作结温范围为-55°C到150°C,能够在严酷环境条件下正常工作,这使得它非常适合用于汽车电子、工业控制、消费电子等需要广泛温度适应性的领域。
应用领域 BAS21LT3G广泛应用于多个领域,包括但不限于:
总结 BAS21LT3G是一款性能优越的小信号二极管,具有低导通电压、可接受的高反向电压、快速恢复时间及超低反向泄漏等显著优势。其紧凑的SOT-23封装设计和极广的工作温度范围,使得其在各种应用场合都能表现出色。无论是在高频信号处理还是高压整流,BAS21LT3G都能够为设计工程师提供可靠的解决方案。选择BAS21LT3G,您将为您的产品提供一个高效、稳定、耐用的电子元件。