BAS21LT3G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BAS21LT3G

商品编码: BM69419111
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
开关二极管 独立式 1.25V@200mA 250V 200mA SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.523
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.523
--
500+
¥0.174
--
5000+
¥0.116
--
10000+
¥0.0831
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS21LT3G参数

安装类型表面贴装型不同 Vr、F 时电容5pF @ 0V,1MHz
二极管类型标准速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25V @ 200mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)250V工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 200V反向恢复时间 (trr)50ns
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

BAS21LT3G手册

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BAS21LT3G概述

BAS21LT3G 产品概述

产品简介 BAS21LT3G是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能小信号开关二极管,采用表面贴装技术(SMD),封装形式为SOT-23-3(也称为TO-236-3或SC-59),该二极管设计用于多种电子应用,包括信号整流、开关和反馈电路等。其优秀的参数和稳定的性能使其适用于各种高频和高压环境。

电气特性 BAS21LT3G的主要电气特性包括:

  • 正向电压(Vf):1.25V @ 200mA,确保在较高电流下依然保持较低的导通电压,这样能够有效降低功耗,并且提升系统的整体效率。
  • 最大反向电压(Vr):250V,这是其在高频应用中的一大优势,可以承受较高的电压,确保电路设计的稳定性。
  • 平均整流电流(Io):200mA(DC),适合用于中等功率的整流应用。
  • 反向泄漏电流:在200V下只有100nA的反向泄漏电流,表明其在工作状态下的良好性能,能够有效降低电路中的无效功耗。
  • 反向恢复时间(trr):50ns,确保其在开关操作中能够快速恢复,使得该二极管在高频开关电路中表现出色。

频率响应 BAS21LT3G在1MHz时的电容值为5pF @ 0V,适合用于高频信号处理。其小信号特性和快速反应时间使其在射频(RF)应用中表现出色,能够处理快速变化的信号而不会显著失真。

工作温度范围 该器件的工作结温范围为-55°C到150°C,能够在严酷环境条件下正常工作,这使得它非常适合用于汽车电子、工业控制、消费电子等需要广泛温度适应性的领域。

应用领域 BAS21LT3G广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 通信设备:在基站、调制解调器及其他通信设备中,用于开关和整流功能。
  2. 汽车电子:用于汽车照明、传感器及电源管理,以适应严苛的环境条件。
  3. 消费电子:如家用电器、个人电子产品等的电源管理和信号处理。
  4. 工业设备:用于各类自动化设备的信号连接和整流。

总结 BAS21LT3G是一款性能优越的小信号二极管,具有低导通电压、可接受的高反向电压、快速恢复时间及超低反向泄漏等显著优势。其紧凑的SOT-23封装设计和极广的工作温度范围,使得其在各种应用场合都能表现出色。无论是在高频信号处理还是高压整流,BAS21LT3G都能够为设计工程师提供可靠的解决方案。选择BAS21LT3G,您将为您的产品提供一个高效、稳定、耐用的电子元件。