DTC023EEBTL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC023EEBTL

商品编码: BM69419107
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT3F(SOT-416FL)
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-416
库存 :
270(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.438
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.438
--
200+
¥0.146
--
1500+
¥0.0913
--
3000+
¥0.0629
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC023EEBTL参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)2.2 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)20 @ 20mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)200mV @ 1mA,10mA频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-89,SOT-490供应商器件封装EMT3F(SOT-416FL)

DTC023EEBTL手册

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DTC023EEBTL概述

DTC023EEBTL 产品概述

DTC023EEBTL是一款高性能的NPN数字晶体管,由知名品牌ROHM(罗姆)制造,专为各种低功耗和高频应用而设计。该晶体管具有150mW的最大功率输出和50V的集射极击穿电压,是电子电路中常见的可靠元器件,尤其适用于信号放大和开关应用。

主要参数分析

晶体管类型
DTC023EEBTL采用NPN结构,并具备预偏压特性,使其在各种应用环境下表现出色。该晶体管能有效控制电流以及开关状态,为用户提供了更高的设计灵活性。

集电极电流
该晶体管的最大集电极电流(Ic)为100mA,允许它在开关和信号放大应用中实现较高的负载能力。尽管其最大限制为100mA,但在低功耗应用中,21mA的工作电流下仍可表现出优异的性能。

击穿电压
DTC023EEBTL的集射极击穿电压(Vce)为50V,确保该器件在高电压应用中保持稳定工作,并减小了因电压波动导致的失效风险。此特性使其广泛适用于各类电子设备,比如电源开关和信号转换器。

电流增益
在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,DTC023EEBTL提供的直流电流增益(hFE)最小值为20,这保证了在工作电流达到20mA和Vce为10V的条件下,该晶体管能够提供足够的放大能力,满足各种电路设计的要求。

饱和压降
在1mA和10mA的基极电流下,DTC023EEBTL的Vce饱和压降最大值为200mV,确保开关状态下的能量损耗处于较小范围。这一特性对于优化功耗和提升系统能效至关重要。

频率特性
具备250MHz的跃迁频率,使得该晶体管在高频信号处理和通讯系统中具备良好的响应速度,满足快速开关和信号调制等应用需求。

表面贴装类型
DTC023EEBTL采用表面贴装(SMD)封装,封装类型为EMT3F(SOT-416FL)。这种封装形式不仅减少了电路板空间的占用,同时保证了良好的电气性能和散热能力,适合高密度PCB设计,广泛用于现代电子设备。

应用场景

DTC023EEBTL在多个应用场景中表现出色,特别是在消费类电子产品、便携式设备及自动化控制系统中。该晶体管适用于以下领域:

  1. 开关电路:在低功耗和高效率开关电路中,DTC023EEBTL可以作为关键开关元件,控制负载的开启与关闭。
  2. 信号放大:适合用于音频放大器、射频放大器等高频信号处理电路,能够有效放大微弱信号,增强系统的性能。
  3. 数字电路:作为数字电路中逻辑门的元素,DTC023EEBTL可确保稳定的开关状态,提高电路响应速度。
  4. 传感器与驱动器:可用于各类传感器信号处理电路,驱动相应负载,满足智能家居、工业自动化等需求。

总结

DTC023EEBTL是一款优秀的NPN预偏置数字晶体管,凭借50V的高击穿电压、100mA的集电极电流和200mV的低饱和压降,为设计人员提供了可靠而高效的解决方案。以其高频特性和小型化封装,在现代电子设备和系统中展现出广泛的应用潜力,随着智能化与自动化的发展,DTC023EEBTL必将在未来的电子产品中发挥更加重要的角色。