晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20 @ 20mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 1mA,10mA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-89,SOT-490 | 供应商器件封装 | EMT3F(SOT-416FL) |
DTC023EEBTL是一款高性能的NPN数字晶体管,由知名品牌ROHM(罗姆)制造,专为各种低功耗和高频应用而设计。该晶体管具有150mW的最大功率输出和50V的集射极击穿电压,是电子电路中常见的可靠元器件,尤其适用于信号放大和开关应用。
晶体管类型
DTC023EEBTL采用NPN结构,并具备预偏压特性,使其在各种应用环境下表现出色。该晶体管能有效控制电流以及开关状态,为用户提供了更高的设计灵活性。
集电极电流
该晶体管的最大集电极电流(Ic)为100mA,允许它在开关和信号放大应用中实现较高的负载能力。尽管其最大限制为100mA,但在低功耗应用中,21mA的工作电流下仍可表现出优异的性能。
击穿电压
DTC023EEBTL的集射极击穿电压(Vce)为50V,确保该器件在高电压应用中保持稳定工作,并减小了因电压波动导致的失效风险。此特性使其广泛适用于各类电子设备,比如电源开关和信号转换器。
电流增益
在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,DTC023EEBTL提供的直流电流增益(hFE)最小值为20,这保证了在工作电流达到20mA和Vce为10V的条件下,该晶体管能够提供足够的放大能力,满足各种电路设计的要求。
饱和压降
在1mA和10mA的基极电流下,DTC023EEBTL的Vce饱和压降最大值为200mV,确保开关状态下的能量损耗处于较小范围。这一特性对于优化功耗和提升系统能效至关重要。
频率特性
具备250MHz的跃迁频率,使得该晶体管在高频信号处理和通讯系统中具备良好的响应速度,满足快速开关和信号调制等应用需求。
表面贴装类型
DTC023EEBTL采用表面贴装(SMD)封装,封装类型为EMT3F(SOT-416FL)。这种封装形式不仅减少了电路板空间的占用,同时保证了良好的电气性能和散热能力,适合高密度PCB设计,广泛用于现代电子设备。
DTC023EEBTL在多个应用场景中表现出色,特别是在消费类电子产品、便携式设备及自动化控制系统中。该晶体管适用于以下领域:
DTC023EEBTL是一款优秀的NPN预偏置数字晶体管,凭借50V的高击穿电压、100mA的集电极电流和200mV的低饱和压降,为设计人员提供了可靠而高效的解决方案。以其高频特性和小型化封装,在现代电子设备和系统中展现出广泛的应用潜力,随着智能化与自动化的发展,DTC023EEBTL必将在未来的电子产品中发挥更加重要的角色。