晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 300µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 | 供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
DTA114EET1G 是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能、低功耗的数字晶体管,属于PNP类型。该器件被广泛应用于各种电子信号放大和开关电路中,特别适合需要预偏压配置以确保高效运行的电路设计。DTA114EET1G 以其优越的电气性能和紧凑的封装形式,成为手机、便携式电子设备以及其他消费电子产品中的理想选择。
DTA114EET1G 采用表面贴装型封装,采用 SC-75(也称为 SOT-416)和 UMT3。本款器件的紧凑设计非常适合空间有限的应用,同时为开发者提供便于堆叠和自动装配的优势。
DTA114EET1G 数字晶体管凭借其小巧的体积与强大的电气性能,是现代电子设计中不可或缺的组件之一。其低功耗、高电流增益及优异的饱和特性,使其在众多应用领域中得到广泛认可。对于开发者而言,选择 DTA114EET1G 无疑是实现高效、可靠电路设计的重要一步。无论是消费电子、工业控制,还是LED驱动领域,DTA114EET1G 都能够提供卓越的性能,为下一代电子产品的创新提供了坚实的基础。