安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14 毫欧 @ 6A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 542pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.2nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 3.1W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
AON7810是一款高性能的N-通道MOSFET阵列,专为低电压应用而设计。作为一种表面贴装型元件,AON7810采用8-DFN-EP(3x3mm)封装,其紧凑的体积使其非常适合空间受限的电子设计和自动化制造。该器件的主要规格包括最高漏源电压(Vdss)为30V,连续漏极电流(Id)可达6A,功率处理能力最大为3.1W。这些特性使得AON7810适用于多种应用,如电源管理、开关电源和其他需要高电流、高速开关的电路。
导通电阻 (RDS(on)): AON7810在6A和10V的条件下,其导通电阻的最大值为14毫欧。这一低导通电阻表明在工作状态下,AON7810具有出色的电流导通能力,从而有效降低功率损耗,提升电路的整体效率。
工作温度范围: AON7810具备-55°C到150°C的宽广工作温度范围,确保其在高温和低温环境中可靠工作,符合集成电路和其他电子元器件对于温度稳定性的高要求,尤其适合汽车电子、工业控制等对温度敏感的应用场景。
输入电容 (Ciss): 最大输入电容为542pF(15V条件下)。这一参数表明AON7810在驱动信号的响应时间上具有较小的延迟时间,使得其适合用于高频率开关以及快速脉冲驱动的电路设计中。
栅极电荷 (Qg): AON7810的栅极电荷在10V时最大为12.2nC。这一特性对于驱动电路的设计至关重要,较小的栅极电荷可以降低驱动信号的功耗,提高开关特性,适应快速切换的应用需求。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在250μA的条件下,栅极阈值电压的最大值为2.3V。此阈值电压确保了AON7810在逻辑电平信号下也能顺利导通,这是逻辑电平驱动所必需的,能够有效降低控制信号的驱动电压。
AON7810的设计使其适用于多种电子产品和系统,包括但不限于:
总之,AON7810是一款性价比高、性能稳定的N-通道MOSFET阵列,尤其适合在紧凑型表面贴装设计中实现高效能转换,为工程师提供了可靠的解决方案,其多样的应用潜力和卓越的电气特性使其成为当前市场上的一种优秀选择。