AO4840 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO4840

商品编码: BM69419102
品牌 : 
AOS
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 40V 6A 2个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.72
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.72
--
100+
¥3.1
--
750+
¥2.87
--
1500+
¥2.73
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4840参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 6A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6AFET 类型2 N-通道(双)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)650pF @ 20V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)10.8nC @ 10V漏源电压(Vdss)40V
FET 功能逻辑电平门功率 - 最大值2W
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA

AO4840手册

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AO4840概述

AO4840 产品概述

产品背景

AO4840是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),专为各种高效能开关电源和负载驱动应用而设计。这款MOSFET不仅具有卓越的电气性能,还具备优良的热稳定性,适用于严苛的工作环境。它采用表面贴装封装,方便PCB集成,适合现代电子设备的小型化需求。

关键参数

  1. 性能参数

    • 导通电阻(Rds(on)): AO4840在6A和10V的条件下,其最大导通电阻仅为30毫欧,确保低功耗和高效能的开关性能。这一特性使得AO4840在高频开关应用中表现出色,能够有效降低功率损耗和热量生成。
    • 最大漏极电流(Id): AO4840可以承受连续漏极电流高达6A,适合各种电流需求的应用,尤其是在需要高电流性能的场合。
    • 漏源电压(Vdss): 该MOSFET具备40V的漏源击穿电压,足以应对许多电源电路的需求,确保设备在高压环境下的稳定运行。
  2. 电容特性

    • 输入电容(Ciss): AO4840的输入电容为650pF(@20V),这一特性使得它在开关频率较高的电路中表现出色,能够有效降低切换损耗。
    • 栅极电荷(Qg): 其最大栅极电荷为10.8nC(@10V),这一参数对控制电路效率至关重要,更小的Qg值意味着更快的开关速度和更低的驱动功耗。
  3. 工作环境

    • 工作温度范围: AO4840的工作温度范围为-55°C至150°C(TJ),这使得它在极端环境下依然能够保持稳定的性能,适合在汽车、工业控制以及军事等严苛环境中使用。
  4. 阈值电压(Vgs(th)): AO4840在250µA条件下的最大栅极阈值电压为3V,这意味着可以使用较低的控制电压来驱动MOSFET,进一步简化电路设计。

应用场景

AO4840广泛应用于开关电源、LED驱动、马达驱动、电池管理和其他需要高效开关的电子设备。其逻辑电平门的特性确保它可以与众多微控制器和数字信号处理器兼容,为设计人员提供了灵活性和便利性。

  1. 开关电源: 高需要动态性能的应用可以利用AO4840的低导通电阻和快速开关特性来提升整体效率,降低发热量。
  2. LED驱动: 在LED驱动电路中,AO4840的高效能可以显著延长LED的使用寿命,并提高系统的能效。
  3. 汽车应用: 由于其广泛的工作温度范围和高可靠性,AO4840非常适合多种汽车电子应用,如电机控制、灯光控制和车载电源管理。
  4. 工业控制: AO4840也适用于机械设备的各种控制应用,如伺服驱动和自动化系统,能够满足高功率和高可靠性的需求。

总结

AO4840作为一款高效能的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计,成为了现代电源管理和负载驱动解决方案中的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业自动化领域,AO4840都显示出卓越的应用潜力,为电子设计人员提供了更高的设计自由度和效率。