安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 30 毫欧 @ 6A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 650pF @ 20V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.8nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 40V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 2W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
产品背景
AO4840是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),专为各种高效能开关电源和负载驱动应用而设计。这款MOSFET不仅具有卓越的电气性能,还具备优良的热稳定性,适用于严苛的工作环境。它采用表面贴装封装,方便PCB集成,适合现代电子设备的小型化需求。
关键参数
性能参数
电容特性
工作环境
阈值电压(Vgs(th)): AO4840在250µA条件下的最大栅极阈值电压为3V,这意味着可以使用较低的控制电压来驱动MOSFET,进一步简化电路设计。
应用场景
AO4840广泛应用于开关电源、LED驱动、马达驱动、电池管理和其他需要高效开关的电子设备。其逻辑电平门的特性确保它可以与众多微控制器和数字信号处理器兼容,为设计人员提供了灵活性和便利性。
总结
AO4840作为一款高效能的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计,成为了现代电源管理和负载驱动解决方案中的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业自动化领域,AO4840都显示出卓越的应用潜力,为电子设计人员提供了更高的设计自由度和效率。