2SC3647S-TD-E

2SC3647S-TD-E 产品概述

概述

2SC3647S-TD-E 是一款高性能的 NPN 晶体管，无论是在工业电子还是消费电子领域，这款三极管都得到了广泛应用。该组件由安森美（ON Semiconductor）制造，特别设计用于高效信号放大和开关应用。凭借其高电流承载能力和良好的频率响应，2SC3647S-TD-E 成为各种电路设计中的理想选择。

主要特性

• 晶体管类型：NPN
• 最大集电极电流 (Ic)：2A
• 集射极击穿电压（Vceo）最大值：100V
• 最大 Vce 饱和压降：400mV @ 100mA，1A
• 集电极截止电流 (ICBO)：最大 100nA
• 直流电流增益 (hFE)：最小 100 @ 100mA，5V
• 功率最大值：500mW
• 频率响应：跃迁频率高达 120MHz
• 工作温度：可在高达 150°C 的环境下稳定工作
• 封装类型：表面贴装型 (SMD)，采用 TO-243AA 封装，帮助节省 PCB 空间

应用领域

2SC3647S-TD-E 的广泛应用使其成为许多不同类型电路中的重要组成部分，包括但不限于：

• 开关电源：在开关电源电路中，2SC3647S-TD-E 可用作开关元件，帮助实现高效率电源管理。
• 音频放大器：由于其优异的增益特性，该晶体管能够进行高质量的音频信号放大，提升音频设备的性能。
• 信号放大：在RF（射频）和低频应用中，2SC3647S-TD-E 能够提供有效的信号放大，确保确保信号的清晰传输。

性能优势

与许多同类产品相比，2SC3647S-TD-E 具备以下几个关键优势：

1. 低饱和压降（Vce(sat)）：其最大饱和压降仅为 400mV，保证了在高电流应用中高效能和低能量损耗。
2. 高频率性能：晶体管的跃迁频率高达 120MHz，使其适用于高速开关和放大应用，能够满足现代电子设备对速度和效率的需求。
3. 高温特性：能够在高达 150°C 的工作温度下正常运行，适用于要求苛刻的环境，给设计带来了更大的灵活性。

封装与安装

2SC3647S-TD-E 采用表面贴装（SMD）类型的 TO-243AA 封装，符合现代电子设备对小型化和高密度设计的需求。这种封装形式能够有效减少引脚的电感和电阻，进一步提升工作性能。其紧凑的设计不仅节省了印刷电路板（PCB）空间，还简化了生产工艺，提高了整体可靠性。

总结

综上所述，2SC3647S-TD-E 是一款功能强大、性能优越的 NPN 三极管，非常适合在各种电路设计中使用。无论是在极端环境下的工业应用，还是在需要高效率和高性能的消费类电子产品中，这款三极管均能发挥其重要作用。凭借 ON Semiconductor 的可靠质量和创新设计，2SC3647S-TD-E 无疑是现代电子设计中一款值得信赖的元件。