晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 7A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 200V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1V @ 500mA,5A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 5mA | 功率 - 最大值 | 60W |
频率 - 跃迁 | 10MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
BU406TU是一款高性能的NPN型功率晶体管,由知名半导体制造商安森美(ON Semiconductor)生产。这款晶体管专为需要在相对高电流和高电压条件下操作的应用而设计,适合于开关电源、功率放大器以及各种电力控制系统等广泛的场景。
BU406TU晶体管具有以下关键参数:
BU406TU采用TO-220-3封装,这种通孔安装类型的封装方式提供了良好的散热性能,确保晶体管在高功率运行时不会过热。同时,其较大的接触面积有助于快速导热,降低散热器的需求。
BU406TU的高电流和高电压能力使其非常适合以下应用:
BU406TU晶体管的设计不仅注重元件的电气性能,还考虑到用户的实际应用需求。其最大的工作温度和有效的散热设计提供了卓越的热稳定性,适合高负载操作。此外,安森美的品牌信誉和产品质量进一步增强了用户对BU406TU的信心,确保了在各种严苛环境下,也能表现出色。
BU406TU是一款极具竞争力的NPN功率晶体管,凭借其出色的参数配置和多种应用场景,成为功率电子领域中的重要元件。无论是在开关电源、放大器设计,还是在工业控制系统中,BU406TU都能够以其高效的性能和良好的稳定性,为工程师们提供一个可靠的解决方案。对于寻求高功率、高电压且高效能的设计需求的开发者而言,BU406TU无疑是一种理想的选择。