晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 100mA,1V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
BC807-25LT1G 产品概述
BC807-25LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)推出的高性能 PNP 型晶体管,广泛应用于各种电子电路。其独特的设计和优越的性能使其成为低功耗放大器、开关电路及小信号驱动方案的理想选择。该产品被封装在小型的 SOT-23-3(TO-236)表面贴装封装中,适合现代电子设备对空间和重量的严格要求。
晶体管类型与极性: BC807-25LT1G 是一款 PNP 晶体管,其极性设计使其在电源配置为负电压的场合下能够有效工作,特别是在负载需要低侧开关的应用中表现出色。
电流与电压能力: 该晶体管的集电极电流(Ic)最大值为 500mA,确保其能够在较高电流负载下稳健运行。同时,集射极击穿电压(Vceo)最大值为 45V,允许其在较高电压环境中安全工作。
饱和压降与增益特性: 当 Ic 为 50mA 和 500mA 时,Vce 饱和压降最大值分别为 700mV,显著降低了在开关应用中的功率损耗。此外,BC807-25LT1G 在 100mA 注入电流下的直流电流增益(hFE)最小值为 160,确保了其在信号放大时的高效率和线性表现。
功率与频率性能: 最大功率额定为 300mW,适合大多数数据处理和信号驱动应用。此外,该器件的频率跃迁达到 100MHz,使其适合用于高速开关和高频信号处理。
环境适应能力: BC807-25LT1G 具有宽广的工作温度范围,从 -55°C 至 150°C(TJ),使其能够在严苛的环境条件下运行,特别适合航天、军事以及工业控制等高要求场合。
封装与安装类型: 采用 SOT-23-3(TO-236)封装形式,满足现代设备对于尺寸和布局的严格标准。表面贴装设计使得该晶体管适合自动化生产线,提高了组装效率。
BC807-25LT1G 广泛应用于多个领域,包括:
BC807-25LT1G是一款出色的PNP晶体管,凭借其卓越的电气性能与广泛的应用场景,成为电子工程师与设计师在开发新产品时的首选元器件。其可靠性和效率使得在现代电子技术持续发展的潮流中脱颖而出。无论是在小型消费者电子产品、工业设备还是汽车系统中,BC807-25LT1G都能够提供极具竞争力的解决方案,助力各种创新应用的实现。在选择低功耗、高性能的PNP晶体管时,BC807-25LT1G无疑是值得推荐的解决方案。