BAS70LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BAS70LT1G

商品编码: BM69419071
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
肖特基二极管 1V@15mA 70V 10uA@70V 70mA SOT-23
库存 :
68141(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.284
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.284
--
200+
¥0.183
--
1500+
¥0.159
--
3000+
¥0.141
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS70LT1G参数

二极管类型肖特基电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)70V
电流 - 平均整流 (Io)70mA(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1V @ 15mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10µA @ 70V
不同 Vr、F 时电容2pF @ 0V,1MHz安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

BAS70LT1G手册

BAS70LT1G概述

BAS70LT1G 产品概述

产品引言

BAS70LT1G是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的肖特基二极管,具备高效能和广泛的应用潜力。它具有1V的正向压降(Vf)@ 15mA的特点,能够在多种电压和电流环境下稳定工作,适合于各种电子应用的需求。

基础参数

  • 二极管类型: 肖特基二极管以其较低的正向压降和快速开关特性著称,广泛应用于整流、检测和信号处理电路等。
  • 电压 - DC 反向 (Vr): 最大反向电压为70V,使其适用于需要较高反向电压的电源管理、电气保护和信号整流等应用。
  • 电流 - 平均整流 (Io): 坚固的70mA整流能力使得该二极管在负载需求较高的电路中表现良好。
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 在15mA的工作流情况下,正向压降仅为1V,这意味着该二极管在传导状态下能有效减少功率损耗。
  • 速度: 具备小信号特性下的高达200mA的能力,能够满足高频应用的需求。
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 在70V的反向电压下,反向泄漏电流仅为10µA,确保了高效的运行,减少了不必要的能量损耗。
  • 不同 Vr、F 时电容: 具有约2pF的电容,在1MHz频率下的性能,适合高速数字电路和RF应用。

封装与安装

  • 安装类型: SOT-23-3封装,适合于表面贴装(SMD)技术,便于自动化焊接和空间紧凑的设计要求,满足现代电子产品对小型化的需求。
  • 封装/外壳: SOT-23-3(TO-236)封装使其易于处理,同时提供良好的散热能力以支持长时间的稳定工作。

工作温度

BAS70LT1G的工作结温范围为-55°C至150°C,保证了在极端环境下的可靠性,适用于汽车电子、工业控制及其他要求严苛工作条件的应用。

应用场景

BAS70LT1G适用于各种电子应用场景,包括:

  1. 电源管理: 有效整流和保护电路,防止反向电流对元器件造成损害。
  2. 信号检测: 在低电平信号处理中,能有效检测信号变化,包括无线通信和数据通信领域。
  3. 开关电源: 低正向压降特性使其在开关电源中表现出色,提高能效并减少发热。
  4. RF应用: 由于其极低的电容特性,适合于高频应用,能够有效处理射频信号。

总结

BAS70LT1G作为一款高性能肖特基二极管,凭借其优越的电气特性、坚固的设计和广泛的应用潜力,成为现代电子电路设计中的一种理想选择。无论是在电源管理、信号处理还是高频通信应用中,BAS70LT1G均展现出出色的性能,满足了电子设备对高效、可靠和低能耗的严苛要求。选择BAS70LT1G,即是选择一种高效能、广适性的解决方案,助力各种电子产品的稳定运行。