BAS19LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BAS19LT1G

商品编码: BM69419068
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
开关二极管 独立式 1V@100mA 120V 200mA SOT-23
库存 :
485(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.38
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.38
--
200+
¥0.127
--
1500+
¥0.079
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS19LT1G参数

二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)120V
电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25V @ 200mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度反向恢复时间 (trr)50ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 100V不同 Vr、F 时电容5pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

BAS19LT1G手册

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BAS19LT1G概述

BAS19LT1G 产品概述

BAS19LT1G 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款高性能的标准开关二极管,采用 SOT-23-3(TO-236)封装。这款二极管是一种小信号二极管,非常适合在多种电子应用中使用,如开关电源、信号整流和保护电路等。

主要规格

  1. 电压和电流参数:

    • 最大直流反向电压(Vr):120V
    • 平均整流电流(Io):200mA(DC) BAS19LT1G 具有的高反向电压能力使其能够在多种高压应用中稳定可靠地工作。200mA 的整流能力意味着其在普通电流负载下表现优越,适用于大多数小信号应用。
  2. 正向电压:

    • 不同 If 时电压 - 正向(Vf):1.25V @ 200mA 这一正向电压特性保证了在该电流条件下的低功耗损失,适用于对功耗敏感的电路,有助于提高系统整体的能效。
  3. 速度和恢复时间:

    • 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
    • 反向恢复时间 (trr):50ns BAS19LT1G 的快速开关速度和短暂的反向恢复时间使其成为高频应用的理想选择。对于要求快速响应的电路(如开关电源或RF电路),这项性能是至关重要的。
  4. 反向泄漏和电容特性:

    • 反向泄漏电流:100nA @ 100V
    • 电容:5pF @ 0V,1MHz 低反向泄漏电流是确保高效能和稳定性的关键,特别是在多重电源和高阻抗电路中。同时,较低的电容值能够减小信号失真,提高信号传输的清晰度。
  5. 温度特性:

    • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C BAS19LT1G 的广泛温度范围使得其能够在各种极端环境下正常工作,适合汽车电子、工业控制和消费电子等领域。

应用场景

BAS19LT1G 由于其优异的电压、电流和速度特性,广泛应用于以下领域:

  • 开关电源:在开关电源中,它能够有效整流,为电源提供稳定的输出。
  • 信号整流:其快速的开关速度使其适用于信息处理和射频(RF)应用中,能够快速切换信号。
  • 保护电路:可用于ESD保护电路,保护敏感元件免受静电和过电压的损害。
  • 数据通信:在数据通信电路中,基于其较低的正向电压和快速响应速度,可以确保数据的高传输率与可靠性。

结论

BAS19LT1G 是一款兼具高性能和多样化应用能力的小信号二极管,凭借其高反向电压能力、低待机功耗和快速响应特性,成为了电子设计师在选择元件时的重要考虑对象。无论是在高频开关时序电路,还是在对电源保护要求较高的应用中,BAS19LT1G 都能够满足各种设计需求,助力客户实现高效、稳定的电子系统。