晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
BC857ALT1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的 PNP 型晶体管,采用 SOT-23-3(TO-236)封装。这种三极管适用于低功耗和高性能应用,是电子电路中常用的基本元件,广泛用于放大、开关和信号处理等场合。其结构紧凑、适应性强,使之成为现代电子设备设计中的理想选择。
BC857ALT1G 的主要参数如下:
BC857ALT1G 的电气特性使其在多种电子应用中表现优越。其工作电压高达 45 V,使其能够适应较高的电压环境。同时,具有高电流增益(hFE)和宽频响应,使其在放大应用中能够确保良好的性能。不仅如此,其 Vce 饱和压降表现出色,确保在电流开关应用中能够有效降低功耗和热量生成。
在调用此传统 PNP 型三极管时,用户应关注其最大集电极电流(100 mA)和功率限制(300 mW),以便选择匹配的驱动电路,保证稳定性和可靠性。
由于其优秀的特性,BC857ALT1G 可应用于多个领域,主要包括:
BC857ALT1G 采用 SOT-23-3(TO-236)表面贴装封装,这种小型封装有助于在紧凑的电路板设计中节省空间,同时便于自动化生产线上的安装。该封装体积小、重量轻,减少了空间占用和系统复杂度。
BC857ALT1G 具有广泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C),使其适用于各种环境条件下的应用。无论是在高温、高湿、低温环境下,BC857ALT1G 都能保持稳定运行,适合极端条件下的电子设备。
总体而言,BC857ALT1G PNP 晶体管以其出色的电气特性、灵活的应用范围和高环境适应性而成为电子设计中的重要元件。无论是用于开关电路还是信号处理,它都能够提供可靠的性能表现,是工程师和设计师在选择 PNP 三极管时的理想选择。安森美半导体的高品质和优良的客户支持,更加保证了 BC857ALT1G 在市场上的竞争力。