BAS40LT1G
BAS40LT1G参数
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 40mA |
| 不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 1V，1MHz | 二极管类型 | 肖特基 |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 25V | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 120mA（DC） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 40V |
BAS40LT1G手册
BAS40LT1G概述
BAS40LT1G 产品概述
一、产品简介
BAS40LT1G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的肖特基二极管，采用表面贴装型（SMD）的 SOT-23 封装设计。该二极管主要应用于需要高效快速开关和低正向压降的电路中，广泛应用于消费电子、移动设备、自动化以及其他电子系统中。其优秀的电气特性使其成为设计师在电源整流、信号整流以及电源保护应用中的首选元件之一。
二、关键参数
工作温度范围：BAS40LT1G 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种恶劣环境的应用，能够在极端温度条件下保持稳定的性能。
正向电压（Vf）：在 40mA 的驱动电流下，其正向电压为 1V。这意味着在导通状态时，二极管的电压损耗较低，能有效提高能源效率，降低系统发热。
反向电流：在最大反向电压 25V 下，BAS40LT1G 的反向泄漏电流仅为 1µA，这为高效能设计提供了保障，特别是对电源管理和信号整流应用中的影响。
直流平均整流电流（Io）：该设备能够承载 120mA 的直流平均整流电流，这是设计电源和信号处理电路时非常重要的参数。
电压 - DC 反向（Vr）：BAS40LT1G 的最大反向电压为 40V，适合多种应用环境，并确保在高电压条件下的可靠性和安全性。
电容特性：在 1V 和 1MHz 的条件下，二极管的电容为 5pF。这一低电容特性使其在高频应用中表现优越，有效降低了信号失真和延迟。
速度特性：其最大的导通电流可达 200mA，该特性使BAS40LT1G 在需要快速开关的应用中表现出色，适合数字电路和高频开关电源。
三、应用领域
BAS40LT1G 的广泛应用场景包括但不限于：
电源整流：BAS40LT1G 可以用作开关电源中的整流二极管，有效降低电源转换过程中的损耗，提高整体效率。
信号整流器：在音频、RF 和其他信号处理电路中，用于将交流信号整流为直流信号，提供清晰的输出。
电压保护电路：可以在过压或电涌情况下提供电流泄漏路径，有效保护电路上的敏感元件。
高频应用：由于其低电容和快速开关性能，适用于高频电路，如无线通信设备和射频模块。
四、封装与安装
BAS40LT1G 使用 SOT-23 封装形式，这种封装有助于实现紧凑的电路设计，同时也提升了散热效率。适合表面贴装工艺，能够快速集成到 PCB 设计中，提升生产效率。
五、总结
BAS40LT1G 肖特基二极管凭借其低正向压降、极小反向泄漏电流、及宽广的工作温度范围，成为现代电子设计中不可或缺的元件。其适应不同工业和消费电子应用的能力，使其在市场上备受青睐，是设计高效、稳定电路的重要选择。选择 BAS40LT1G 可以为您的产品在性能和效率上带来显著的提升。