BC858BLT1G
BC858BLT1G参数
| 晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 220 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
BC858BLT1G手册
BC858BLT1G概述
BC858BLT1G 产品概述
一、产品简介
BC858BLT1G 是 ON Semiconductor（安森美）公司生产的一款高性能 PNP 型双极晶体管（BJT），它采用表面贴装技术（SMD）封装，具有极小的体积和优秀的电子特性。该器件广泛应用于低功耗的开关和放大电路中，适合用于需要高增益和小尺寸的应用场合，如移动设备、消费电子和工业控制等。
二、主要特性
晶体管类型：PNP 型三极管，适用于各种电流控制和信号放大电路。
集电极电流（Ic）：最大工作电流为 100mA，能满足常见的负载需求。
集射极击穿电压（BVceo）：最大值为 30V，提供了足够的耐压能力，以适应多种电源电压环境。
饱和压降：在 Ic 为 100mA、Ib 为 5mA 时，Vce 的饱和压降最大为 650mV，这使得在开关状态下能有效降低功耗，提高效率。
截止电流：集电极截止电流（ICBO）最大值为 15nA，确保了良好的开关特性，适用于高精度的应用。
DC 电流增益（hFE）：在 2mA 和 5V 条件下，hFE 的最小值为 220，显示出良好的放大能力，能够满足较高的信号放大需求。
功率耗散：该器件的最大功率耗散为 300mW，适合长时间运行的应用设计。
频率特性：具有高达 100MHz 的跃迁频率，说明其在高频信号处理中的应用潜力。
工作温度范围：器件可在 -55°C 到 150°C 的温度范围内工作，适合于恶劣环境下的应用。
封装形式：采用 SOT-23-3（TO-236）小型封装，方便PCB布局，适合现代电子设备的小型化需求。
三、应用领域
BC858BLT1G 的设计主要面向以下几个应用领域：
消费电子：如手机、平板电脑、音响设备中的信号放大和开关控制，通过其高增益特性帮助优化电路设计。
工业控制：在传感器信号处理、信号放大和电流控制等场合中，能够稳定地提供所需的性能，适用于工控设备的各类电路。
汽车应用：可用于汽车电子设备中，例如传感器、执行器及其他控制系统，因其宽广的工作温度范围而受到青睐。
医疗设备：在医疗信号探测和处理应用中，提供高准确度和可靠性，符合现代医疗设备的严苛要求。
LED 驱动：该器件也可以用作LED驱动电路中的开关元件，通过精准控制电流来调节LED亮度以实现调光功能。
四、结论
BC858BLT1G 是一款功能强大且应用广泛的 PNP 型三极管，凭借其出色的电气特性和可靠的性能，为众多电子设备提供了理想的解决方案。随着电子产品向小型化和高性能化的趋势发展，BC858BLT1G 无疑将成为设计工程师的一个重要工具，为其电路设计提供更多可能性。在选择合适的三极管时，BC858BLT1G 确实是一款值得考虑的优质选择。