晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
BC856ALT1G是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),由安森美(ON Semiconductor)生产。此元器件设计用于各种低功耗放大器和开关应用,展现出优异的电气特性和可靠性。其封装为SOT-23-3(TO-236),使得它非常适合表面贴装应用,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
晶体管类型:PNP
集电极电流(Ic)最大值:100mA
集射极击穿电压(Vceo)最大值:65V
饱和压降(Vce(sat)):
集电极截止电流(ICBO)最大值:15nA
直流电流增益(hFE)最小值:125 @ 2mA,5V
最大功率:300mW
频率响应:100MHz
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOT-23-3
BC856ALT1G适用于多种电路应用场景,包括但不限于:
BC856ALT1G是一个强大且高度可靠的PNP晶体管,凭借其低功耗、高增益、良好的温度性能和众多应用潜力,成为电气工程师和设计师在多种电子产品中的优选元器件。其出色的电气参数使得BC856ALT1G在现代电子设计中占有一席之地,尤其在高频、高效的电路设计中,能够提供必要的性能支持。