BC850BLT1G
BC850BLT1G参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 225mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
BC850BLT1G手册
BC850BLT1G概述
产品概述：BC850BLT1G NPN晶体管
一、产品概述
BC850BLT1G是一款高性能的NPN型双极结晶体管（BJT），具有出色的电流增强特性和宽广的工作温度范围。该器件由安森美（ON Semiconductor）生产，采用SOT-23封装，特别适合于表面贴装（SMD）应用，广泛用于小型电子设备和电路中，如信号放大、电源管理和开关控制等场景。
二、主要特性与规格
晶体管类型：BC850BLT1G为NPN型晶体管，适用于将输入信号放大并输出相应的高电流信号。
最大集电极电流（Ic）：该晶体管的最大集电极电流为100mA，适合于中小功率的应用需求。
最大集射极击穿电压（Vceo）：具有45V的高击穿电压，使其适合于较高电压操作的应用。
饱和压降（Vce(sat)）：在5mA和100mA的不同工作电流下，其饱和压降最大值为600mV，这有助于提升电路的能效，降低发热。
集电极截止电流（ICBO）：该晶体管的集电极截止电流非常低，仅为15nA，有助于提供更好的开关特性和增强电路的整体性能。
直流电流增益（hFE）：在2mA、5V的条件下，BC850BLT1G的最小电流增益达到200，意味着其在小信号条件下能够提供足够的放大能力。
功率规格：晶体管的最大功率为225mW，适合多种负载条件下的应用。
工作频率：该器件具有高达100MHz的频率响应能力，适用于高频电路应用。
工作温度范围：BC850BLT1G的工作温度范围从-55°C到150°C，保证其在严酷环境下的可靠性和稳定性。
封装类型：采用紧凑的SOT-23-3（TO-236）封装，并适合表面贴装，便于在现代电子设备中实现高密度布局。
三、应用场景
BC850BLT1G因其稳定的电气特性和高工作温度范围，被广泛应用于多种电子设计中，主要应用领域包括：
放大电路：适用于音频、射频及视频信号的放大需求。
开关电路：可用作开关控制元件，在微处理器控制的应用中发挥重要作用。
电源管理：在开关电源和线性电源应用中，BC850BLT1G可作为关键的控制和调节元件。
传感器电路：在传感器输出信号的处理与放大中，提供精确和稳定的信号处理能力。
其他小型电子设备：由于其小巧的封装，BC850BLT1G非常适合手机、平板电脑、家用电器及其他便携式电子设备中使用。
四、总结
由安森美（ON Semiconductor）推出的BC850BLT1G NPN晶体管，凭借其卓越的性能、可靠的规格和广泛的应用场合，成为了现代电子设计中的一种理想选择。无论在信号放大、开关控制还是电源管理中，BC850BLT1G都能提供良好的支持，确保电子设备在高效能与可靠性之间得到平衡。其出色的电气性能与温度适应性，使其成为电子工程师的优先选择之一。通过将其应用于不同的电路设计中，用户能够更好地满足市场对高性能电子元器件的需求。