BAS20HT1G

BAS20HT1G 产品概述

产品简介 BAS20HT1G 是安森美（ON Semiconductor）提供的一款高性能标准开关二极管。该二极管专为高频和高电压应用而设计，具备出色的正向导通特性和反向电流控制能力，使其成为广泛应用于电子设备中的理想选择。其高达 200V 的反向电压能力和 200mA 的整流电流使其能够在各种环境中使用，包括汽车、通信、消费电子及工业设备等。

基本参数

• 二极管类型: 标准
• 最大反向电压 (Vr): 200V
• 平均整流电流 (Io): 200mA (DC)
• 正向电压 (Vf): 1.25V @ 200mA
• 反向恢复时间 (trr): 50ns
• 反向泄漏电流: 1µA @ 200V
• 电容特性: 5pF @ 0V，1MHz

封装与安装 BAS20HT1G 采用了 SOD-323 封装，属于表面贴装型（SMD），便于在现代电子电路中实现高密度集成。轻便且小巧的 SOD-323 封装使得在空间受限的应用中也能轻松安装，大幅度提升了设计灵活性。

工作温度范围 该二极管在极端环境条件下的适应能力强，工作结温范围为 -55°C 至 +150°C，这一特点使得 BAS20HT1G 能在严苛的工业和环境条件下稳定工作。

应用场景 BAS20HT1G 的广泛应用包括但不限于：

1. 开关电源：适用于需要快速开关和高效率的开关电源设计。
2. 信号整流：能够高效整流输入信号，帮助转换交流电源为直流电源。
3. 保护电路：可用于对敏感电子元器件提供反向电压保护，防止因过电压而导致的损坏。
4. 自动化和传感器设备：在各种传感器和自动化系统中，快速响应时间和稳定性使其成为理想元件。

性能优势

• 高反向电压: 200V 的最大反向电压，使其能够应用于多种高电压环境。
• 低正向电压: 在 200mA 时仅需 1.25V 的正向电压，表现出优异的能量转换效率。
• 小信号响应: 50ns 的反向恢复时间非常适合于高频开关应用。
• 低反向泄漏张量: 在 200V 下仅有 1µA 的反向泄漏电流，保证了在长时间工作期间的稳定性，从而提升设备的可靠性和性能。

总结 作为一款整流二极管，BAS20HT1G 在设计上兼顾了高效能、低能耗和多功能性，适合于多种现代电子电路设计的需求。其卓越的性能和小巧的封装能够满足当今快速发展的电子市场需求，使其在多种应用中成为首选器件。安森美的这个产品无疑为设计者提供了更大的设计灵活性和更多的解决方案，助力高性能电路的开发和实施。