AOI409 产品实物图片
AOI409 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOI409

商品编码: BM69419049
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO251A
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 60W;2.5W 60V 26A 1个P沟道 TO-251A
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.27
按整 :
管(1管有3500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.27
--
100+
¥2.72
--
875+
¥2.52
--
1750+
¥2.4
--
21000+
产品参数
产品手册
产品概述

AOI409参数

功率(Pd)60W;2.5W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@20A,10V工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
栅极电荷(Qg@Vgs)54nC@10V漏源电压(Vdss)60V
类型1个P沟道输入电容(Ciss@Vds)3.6nF@30V
连续漏极电流(Id)26A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@250uA

AOI409手册

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AOI409概述

AOI409 产品概述

产品介绍

AOI409 是一种高性能的 P 沟道 MOSFET(场效应管),采用 TO-251A 封装,适用于各种功率管理、开关电源和其他高电流应用。其最大功率输出可达到 60W,电压等级为 60V,最大持续电流为 26A,使其能够在要求严格的环境中稳定工作。由于其卓越的特性,AOI409 被广泛应用于电动工具、电源转换器、逆变器以及太阳能电力系统等领域。

技术规格

主要参数

  • 功率消耗: 最大 60W
  • 额定电压: 60V
  • 最大漏极电流: 26A
  • 封装类型: TO-251A(表面贴装封装)
  • 沟道类型: P 沟道
  • 开关速度: 高速开关性能,适合高频应用
  • 导通电阻: 低 R_DS(on),在较低的栅极电压下也能实现高效率的开关性能

性能特点

  1. 高功率密度: AOI409 增强了功率处理能力,适合高功率应用,能够在提升系统效率的同时降低热损耗。
  2. 低导通电阻: 其低 R_DS(on) 使得 MOSFET 在导通状态下能有效降低能量损耗,从而提高系统整体效率。
  3. 优异的热性能: 该器件的结构设计允许更好的热管理,确保在高负载情况下稳定工作,防止过热造成的性能衰减。
  4. 高可靠性: AOI409 经过严格测试,能够承受短路、过载及其它极端工况,确保在苛刻的应用环境中仍具备高度的稳定性和可靠性。

应用领域

AOI409 广泛应用于如下领域:

  • 电源管理: 在开关电源和AC/DC转换器中,AOI409 能够快速开关,提供高效率的能量传输,降低整体功耗。
  • 逆变器: 在太阳能逆变器以及电动汽车的逆变器中,采用 AOI409 可以提高能量转换效率,减少能量损耗。
  • 电动工具: 由于其高电流承受能力,AOI409 适合用于各种电动工具中,如电钻、电锯等,对提升设备的性能和使用寿命大有裨益。
  • 消费电子: 在电视机、音响及其它电子设备中,AOI409 的低导通电阻和高开关速度能够显著提高响应速度和使用效率。

使用注意事项

在使用 AOI409 时,设计工程师需注意以下几个方面:

  1. 散热设计: 虽然 AOI409 具备良好的散热特性,但在高功率应用中仍需合理设计散热系统,确保工作温度处于安全范围内。
  2. 栅极驱动: 为了充分发挥其性能,适应的栅极驱动电平和驱动电路的设计至关重要,确保 MOSFET 在理想状态下快速切换。
  3. 电流管理: 运行在接近其额定电流的条件下时,应谨慎考虑MOSFET 的功耗和冷却方案,避免因长时间过载而导致器件失效。
  4. 布局设计: PCB Layout 时,建议尽量减少漏电流和寄生电感,以提高开关性能和系统稳定性。

结论

AOI409 结合了高功率处理能力、低导通电阻和优异的热性能,成为了现代电子设备中不容忽视的重要组成部分。其广泛的应用场景和可靠的性能,使其在市场上广受青睐,成为工程师进行电源设计和功率管理时的优选器件。无论是在电源转换、逆变器设计还是在高负载电动工具的应用中,AOI409 都能助力设计者实现高效能、高可靠的设计目标。