AON2420 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON2420

商品编码: BM69419045
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN2x2B-6L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.8W 30V 8A 1个N沟道 DFN-6(2x2)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.96
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.96
--
100+
¥5.8
--
750+
¥5.37
--
1500+
¥5.12
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON2420参数

功率(Pd)2.8W反向传输电容(Crss@Vds)28pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11.7mΩ@8A,10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)552pF连续漏极电流(Id)8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA

AON2420手册

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AON2420概述

AON2420 产品概述

1. 产品简介

AON2420 是一款高性能的 N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由 AOS(美国晶圆厂)公司制造。该器件具有优异的电气性能,适合各种高效电源管理和开关应用。其主要规格为最大功率尺寸为 2.8W,电压额定值为 30V,电流额定值为 8A,并且采用 DFN-6(2x2) 封装,便于在现代紧凑型电路板设计中整合。

2. 主要参数

  • 器件类型: N沟道 MOSFET
  • 最大功率: 2.8W
  • 最大电压: 30V
  • 最大电流: 8A
  • 封装类型: DFN-6(2x2)
  • 工作温度: 广泛的工作温度范围,适合多种应用环境

3. 特点

AON2420 的设计注重高效能与可靠性的结合,具备以下特点:

  • 低导通电阻: 该器件在额定条件下表现出低的 R_DS(on) 值,减少了导通损耗,提高了效率。
  • 快速开关特性: MOSFET 的快速开关特性使其非常适合高频率开关应用,如 DC-DC 转换器及其他电源管理电路。
  • 紧凑型封装: DFN-6(2x2) 封装提供了出色的热性能和紧凑的布局设计,适合空间受限的应用。
  • 易于驱动: N沟道 MOSFET 的门极驱动特性使其在不同条件下都能保持良好的开关性能。

4. 应用领域

AON2420 可广泛应用于各种电子装置和系统中,特别是在以下领域:

  • DC-DC 转换器: 适用于各种电源转换应用,如降压(Buck)和升压(Boost)转换器。
  • 功率管理电路: 在电池供电设备中,AON2420 可以用于高效的功率传输,延长电池使用寿命。
  • LED 驱动电路: MOSFET 的高电流处理能力使其成为驱动高亮度 LED 的理想选择。
  • 开关电源: 在高频开关电源中应用,能够有效提高转换效率,并减小体积。

5. 设计指南

在使用 AON2420 时,设计人员应考虑以下几点:

  • 散热管理: 虽然 AON2420 提供了优良的热性能,但在高功率应用中,适当的散热设计仍然十分重要,以防止温度过高导致器件失效。
  • 电路布局: 由于采用的是 DFN 封装,合理的 PCB 布局可以进一步优化其性能,减少寄生电感和电阻,提高开关速度。
  • 栅极驱动电路设计: 确保栅极驱动电路能够提供充足的电压和电流,以实现快速的开关操作。

6. 结论

AON2420 是一款性能卓越的 N沟道 MOSFET,能够满足众多高效能和高可靠性的应用需求。其低导通电阻和快速开关特性使其成为电源管理和转换器设计中的优选器件。无论是在消费电子、工业设备还是通信系统中,AON2420 都能够保证出色的工作效率和可靠性,是开发高效电路设计的重要组成部分。随着电子行业对电源效率的不断追求,AON2420 将为设计师提供稳固的支持。