功率(Pd) | 2.8W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 28pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11.7mΩ@8A,10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 552pF | 连续漏极电流(Id) | 8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
AON2420 是一款高性能的 N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由 AOS(美国晶圆厂)公司制造。该器件具有优异的电气性能,适合各种高效电源管理和开关应用。其主要规格为最大功率尺寸为 2.8W,电压额定值为 30V,电流额定值为 8A,并且采用 DFN-6(2x2) 封装,便于在现代紧凑型电路板设计中整合。
AON2420 的设计注重高效能与可靠性的结合,具备以下特点:
AON2420 可广泛应用于各种电子装置和系统中,特别是在以下领域:
在使用 AON2420 时,设计人员应考虑以下几点:
AON2420 是一款性能卓越的 N沟道 MOSFET,能够满足众多高效能和高可靠性的应用需求。其低导通电阻和快速开关特性使其成为电源管理和转换器设计中的优选器件。无论是在消费电子、工业设备还是通信系统中,AON2420 都能够保证出色的工作效率和可靠性,是开发高效电路设计的重要组成部分。随着电子行业对电源效率的不断追求,AON2420 将为设计师提供稳固的支持。