2SD1623S-TD-E 产品实物图片
2SD1623S-TD-E 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SD1623S-TD-E

商品编码: BM69419038
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
PCP
包装 : 
编带
重量 : 
0.169g
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 50V 2A NPN SOT-89-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.64
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.64
--
50+
¥2.03
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SD1623S-TD-E参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 100mA,2V
功率 - 最大值500mW频率 - 跃迁150MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装PCP

2SD1623S-TD-E手册

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2SD1623S-TD-E概述

2SD1623S-TD-E 产品概述

概述

2SD1623S-TD-E是一款高性能NPN型三极管,由安森美(ON Semiconductor)制造,专为高效能和宽广应用场景而设计。它不仅具备出色的电流处理能力和电压承受能力,还在高频应用中表现出色。凭借其500mW的最大功率和50V的集射极击穿电压,此款三极管非常适合用于开关电源、线性电源、功率放大及信号放大电路等多种应用场景。

基本参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流(Ic): 2A
  • 最大集射极击穿电压(Vce): 50V
  • 饱和压降(Vce(sat)): 最大值为400mV(在不同的Ib、Ic条件下,例如在50mA和1A时)
  • 集电极截止电流(ICBO): 最大100nA
  • 电流增益(hFE): 最小值为100(在Ic为100mA和Vce为2V时)
  • 最大功率: 500mW
  • 频率响应: 150MHz
  • 工作温度范围: 最高可达150°C(TJ)
  • 封装类型: SOT-89-3(表面贴装型,TO-243AA)

特性与性能

作为一款NPN型三极管,2SD1623S-TD-E具备优秀的电流放大能力,使其在各种电子电路中能有效驱动负载。其DC电流增益(hFE)参数表明,在常见的工作条件下,该器件能将输入小信号放大100倍以上,这为其在信号处理和功率放大的应用中提供了强有力的支撑。

设备在高频情况下仍能正常工作,跃迁频率达到150MHz,这一特性使得其在RF(射频)和高速数字电路中表现优秀,能够保证信号的高效传输与处理。其最大的集电极电流为2A,能够在较大的负载下稳定工作,适合用于电机驱动和电源转换等场合。

应用领域

2SD1623S-TD-E适合广泛的应用,包括但不限于:

  1. 开关电源: 在电力电子设备中,其高效率和快速开关时间使其在开关电源中被广泛采用。
  2. 功率放大器: 由于其高增益和相对较低的饱和压降,能够作为功率放大器中的输出极。
  3. 信号放大器: 适用于信号处理电路,可以有效地放大微小信号,提升系统的工作效率。
  4. 电机驱动: 由于其较大的输出电流,适合驱动小型电机和执行器。
  5. 射频应用: 在高频电路中,能够提供必要的增益,保持信号稳定。

封装与安装

该产品采用SOT-89-3封装,具有较小的体积和适合表面贴装的特性,使其在空间受限的PCB设计中脱颖而出。TO-243AA封装保证了良好的散热性能和电气连接,便于在自动化生产线上进行组装。

热管理与可靠性

该器件的工作温度上限为150°C,提供了更广泛的环境适应能力。在设计电路时,需合理安排散热措施,以保持器件在最佳工作状态。其低集电极截止电流(ICBO)特性确保了在不工作状态下的极低漏电流,增强了系统的整体可靠性。

总结

2SD1623S-TD-E是一款多功能、高性能的NPN三极管,能够满足现代电子设备对高效能、高可靠性的要求。凭借其出色的电气性能和宽广的应用领域,为设计工程师提供了一个理想的选择。无论是针对新产品研发还是现有设备的升级,该器件都能成为提高性能的重要组成部分。