晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 50mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,2V |
功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | PCP |
2SD1623S-TD-E是一款高性能NPN型三极管,由安森美(ON Semiconductor)制造,专为高效能和宽广应用场景而设计。它不仅具备出色的电流处理能力和电压承受能力,还在高频应用中表现出色。凭借其500mW的最大功率和50V的集射极击穿电压,此款三极管非常适合用于开关电源、线性电源、功率放大及信号放大电路等多种应用场景。
作为一款NPN型三极管,2SD1623S-TD-E具备优秀的电流放大能力,使其在各种电子电路中能有效驱动负载。其DC电流增益(hFE)参数表明,在常见的工作条件下,该器件能将输入小信号放大100倍以上,这为其在信号处理和功率放大的应用中提供了强有力的支撑。
设备在高频情况下仍能正常工作,跃迁频率达到150MHz,这一特性使得其在RF(射频)和高速数字电路中表现优秀,能够保证信号的高效传输与处理。其最大的集电极电流为2A,能够在较大的负载下稳定工作,适合用于电机驱动和电源转换等场合。
2SD1623S-TD-E适合广泛的应用,包括但不限于:
该产品采用SOT-89-3封装,具有较小的体积和适合表面贴装的特性,使其在空间受限的PCB设计中脱颖而出。TO-243AA封装保证了良好的散热性能和电气连接,便于在自动化生产线上进行组装。
该器件的工作温度上限为150°C,提供了更广泛的环境适应能力。在设计电路时,需合理安排散热措施,以保持器件在最佳工作状态。其低集电极截止电流(ICBO)特性确保了在不工作状态下的极低漏电流,增强了系统的整体可靠性。
2SD1623S-TD-E是一款多功能、高性能的NPN三极管,能够满足现代电子设备对高效能、高可靠性的要求。凭借其出色的电气性能和宽广的应用领域,为设计工程师提供了一个理想的选择。无论是针对新产品研发还是现有设备的升级,该器件都能成为提高性能的重要组成部分。