晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 480mV @ 100mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 500mA,2V |
功率 - 最大值 | 500mW | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
2STR2160是一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT),由意法半导体(STMicroelectronics)制造,专门设计用于各种中等功率应用。其具备良好的电流承载能力和电压耐受性,常用于开关、放大和调节电流的电路中,操作温度范围广,可以在恶劣环境下工作,确保了系统的可靠性。2STR2160的表面贴装型封装(SOT-23-3)使其更加适合现代电子设备的小型化需求。
2STR2160的设计使其在多个领域具有广泛的应用,包括但不限于:
2STR2160采用SOT-23-3封装,这种表面贴装型设计使得更现代的自动化生产流程得以实现。适于各种现代PCB设计,可以轻松集成入组装电路中。其较小的尺寸和轻量化特性使得从便携式设备到复杂的电源管理系统皆可使用,具备广泛的兼容性。
2STR2160是一款在性能、耐用性和应用灵活性方面均表现优异的PNP晶体管。无论是在开关电路、放大器设计还是在电流调节应用中,2STR2160凭借其卓越的电气特性和适用性,成为了众多电子工程师和设计师的首选。意法半导体凭借其在半导体领域的丰富经验,保证了这一晶体管在高要求环境下的可靠性和耐用性,为用户提供更为优秀的电气解决方案。