晶体管类型 | PNP - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 300mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 32V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.5V @ 400µA,200mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 5000 @ 100mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SMT3 |
2SB852KT146B 是一款PNP型达林顿晶体管,专为小信号放大和开关电路设计。此器件由知名品牌ROHM(罗姆)生产,采用表面贴装型(SMT)封装 TO-236-3,常见的封装形式包括 SC-59 和 SOT-23-3。这种高增益晶体管适用于各种电子设备,能够有效满足高性能应用需求。
高增益:达林顿结构的设计使得该晶体管在小的基极电流下能够获得较大的集电极电流。5000的hFE值确保了在低输入电流的条件下,输出电流依然充足,这使得其在弱信号放大中的应用极具优势。
低功耗待机:由于集电极截止电流仅为1µA,此器件在待机状态时的功耗极低,非常适合用于需要节能的设计,如移动设备和传感器电路。
宽工作电压范围:该元器件的集射极击穿电压高达32V,可以在多种高电压环境下安全工作。
高频响应:200MHz的跃迁频率适应了高速信号处理的需求,能够满足现代通信设备对高频特性的要求。
高温适应性:工作温度可达到150°C,使得在严酷环境条件下的应用成为可能。
2SB852KT146B达林顿管广泛适用于以下应用场景:
综上所述,2SB852KT146B是一款功能强大的PNP达林顿晶体管,凭借其高增益、低功耗、宽工作电压范围及高温适应性,使其在许多高性能电子设备中得到了广泛的应用。ROHM的这一产品不仅满足现代电子产品对性能的高要求,也为设计师提供了极大的灵活性与便利性。在面临严峻环境挑战时,2SB852KT146B凭借其出色的运行性能将是各类电子工程师和设计师的理想选择。