AON7401 产品实物图片
AON7401 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AON7401

商品编码: BM69418990
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN3x3-8L
包装 : 
编带
重量 : 
0.1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 12A 1个P沟道 PDFN-8(3.3x3.3)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.23
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.23
--
100+
¥2.69
--
1250+
¥2.5
--
2500+
¥2.37
--
5000+
¥2.26
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON7401参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)14 毫欧 @ 9A,10V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Ta),35A(Tc)FET 类型P 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2600pF @ 15VVgs(最大值)±25V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)39nC @ 10V
漏源电压(Vdss)30V功率耗散(最大值)3.1W(Ta),29W(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA

AON7401手册

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AON7401概述

AON7401 产品概述

AON7401是由AOS品牌推出的一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),广泛应用于各种需要高开关效率和低导通电阻的电子电路中。这款器件采用表面贴装型(SMT)封装,封装形式为DFN3x3-8L,便于在紧凑空间内实现高密度的电路设计。以下是AON7401产品的详细参数和应用信息。

基础参数

  • 安装类型: 表面贴装型(SMD)
  • 导通电阻(Rds On): 在9A和10V时最大值为14毫欧,这一低导通电阻使其在工作过程中能够显著减少功率损耗,提高系统的能效。
  • 场效应管技术: MOSFET(场效应管)
  • 驱动电压: 支持6V和10V的最大Rds On和最小Rds On,使其在各种驱动条件下都能保持优异的性能。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C环境下,最大持续漏极电流为12A,而在适当的散热条件下(Tc),允许的工作电流可达35A。
  • 漏源电压(Vds): 最大值为30V,适用于低至中压应用。
  • 输入电容(Ciss): 在15V时最大为2600pF,允许快速开关控制。
  • 栅极电压(Vgs): 最大允许值为±25V,适应多种驱动电路的需求。
  • 工作温度范围: 从-55°C到150°C,提供良好的环境适应性,适合苛刻的工作条件。
  • 栅极电荷(Qg): 在10V驱动下,最大栅极电荷为39nC,确保MOSFET在转换频率较高的场合仍能提供快速响应。
  • 功率耗散: 最大功率耗散为3.1W(Ta)和29W(Tc),显示了该器件在不同环境下的散热能力。

应用领域

AON7401因其优秀的电气性能而适用于广泛的应用场景,包括但不限于:

  1. 电源管理模块: 作为DC-DC转换器、同步整流电路中的关键组件,使用AON7401可提高功率转换效率,减少能量损耗。

  2. 驱动电路: 可用于马达驱动电路,尤其是在电动工具和家用电器中,因其较高的耐压和电流能力可以控制大功率负载。

  3. 照明控制: 在LED驱动电源中,可以有效地调节电流,确保稳定的光输出。

  4. 自动化控制系统: 此器件适合用于工业自动化设备中的开关电路,能够承受较高的工作温度和电流。

  5. 消费电子: 在便携式设备、成品电源与充电设备中也扮演着关键角色,确保系统的高效运转和长时间工作。

结论

AON7401作为一款高效的P沟道MOSFET,其出色的技术参数和灵活的应用范围使其成为现代电子设计中的一流选择。尤其是在提高能效、降低功耗的设计需求日益增长的今天,AON7401通过其极低的导通电阻和广泛的工作温度范围,能够帮助设计人员实现高效的电源管理解决方案。无论是在高性能电源转换器还是在要求严苛的环境中,AON7401均可提供卓越的性能表现。