ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA 产品概述

概述

ZXMN2B01FTA 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由 DIODES（美台）公司制造。其专为低电压和小规模功率应用而设计，具有优异的导通特性和极低的导通电阻，非常适合在开关供应、负载驱动以及其他数字信号处理应用中使用。

基本参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET
• 漏源电压 (Vdss): 最大 20V，使其适合许多低电压应用场合。
• 最大连续漏极电流 (Id): 2.1A（25°C），能够满足常规电流驱动需求。
• 驱动电压: 能够在 1.8V 到 4.5V 的驱动电压下实现最佳性能，尤其是在低电压应用方面表现突出。
• 导通电阻: 在 2.4A 和 4.5V 下的最大导通电阻为 100 毫欧，显示出良好的散热特性。

性能特性

• 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 1V @ 250µA 的值，确保在较低驱动电压下也能可靠导通。
• 栅极电荷 (Qg): 最大值为 4.8nC @ 4.5V，意味着在驱动栅极时的电荷需求较小，适合高频率开关操作。
• 输入电容 (Ciss): 370pF @ 10V，提供了良好的开关性能，适合用于高频信号处理。
• 极限工作条件: 工作温度范围为 -55°C 到 150°C（TJ），适合在高温或极端条件下使用。

电气特性

ZXMN2B01FTA 的电气特性提供了在各种电源和负载条件下的稳定性。最大功率耗散为 625mW（Ta），意味着其在高负载下仍然能够有效散热而不超过阈值。对于工业、汽车电子和消费类电子产品等应用非常理想。

封装和安装

• 封装类型: SOT-23，采用表面贴装设计，适合现代小型电子电路设计。
• 封装标准: 符合 TO-236-3 和 SC-59 封装标准，使其在兼容性和应用灵活性方面提供了更多选择。

应用场合

ZXMN2B01FTA 被广泛地应用于：

• 低功耗开关模式电源（SMPS）
• 电机驱动及控制电路
• LED 驱动电路
• 电池管理系统
• 便携式设备及消费类电子产品

结论

ZXMN2B01FTA 是一款集成了多种优质性能的小型 N 通道 MOSFET，具有低导通电阻、宽工作温度范围和高效功耗管理，被认为是多种电子应用中的一个理想选择。无论是在高频开关应用还是需要高电流的环境中，它都能提供稳定遗传特性与出色的性能体验。适应性强的 ZXMN2B01FTA 可以有效提升产品的整体性能，使其在竞争激烈的市场环境中脱颖而出。