制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 类型 | 齐纳 |
电压 - 反向断态(典型值) | 5V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 5.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 14V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 12A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 130W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 35pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | U-DFN1616-6 |
双向通道 | 5 |
产品概述:D5V0M5B6LP16-7
D5V0M5B6LP16-7是由Diodes Incorporated制造的一款高性能齐纳二极管,旨在为各种电子设备和电路提供有效的过压保护。这款TVS(瞬态电压抑制)二极管在竖直与水平应用中均表现出色,特别适合用于对敏感电子元件进行保护,防止由静电放电(ESD)、浪涌电流及其他瞬态电压变化引起的损坏。
基本参数与性能:
D5V0M5B6LP16-7具有多项显著的性能参数。其反向断态电压(V_R)典型值为5V,而最小击穿电压(V_B)为5.5V,这使其能够承受一定程度的过压而不会导致失效。这款二极管在不同Ipp条件下的电压钳位最大可达到14V,能有效限制过压对后续电路的影响,确保系统的安全性。
该器件的峰值脉冲电流(Ipp)为12A(以8/20µs脉冲为基准),并具有130W的峰值脉冲功率承载能力。这意味着D5V0M5B6LP16-7能够应对瞬态电压突击,为设计师在面临极端电流和电压条件下的保护提供可靠的解决方案。
频率响应与电容特性:
在频率响应方面,D5V0M5B6LP16-7在1MHz的测试下表现出35pF的电容值,这表明其在高频应用中具有较低的串联电容特性。低电容特性对于高速数据传输设备尤为重要,因为它能够降低信号失真,并确保信号完整性。
工作温度与安装特性:
本产品能够在-65°C至150°C的广泛温度范围内正常工作,使其适用于极端环境下的各类应用,提升了设计的灵活性。D5V0M5B6LP16-7采用表面贴装型(SMD)安装方式,极大地简化了自动化生产过程,适合高密度电路板设计。
外观与封装:
D5V0M5B6LP16-7的封装类型为6-UFDFN裸露焊盘(U-DFN1616-6),该尺寸小巧且具良好的散热性能,为高功率应用提供了空间上的优势。此外,裸露焊盘设计有助于在电路板上实现更优的热管理,也降低了封装引起的对电路性能的影响。
应用领域:
D5V0M5B6LP16-7适用于广泛的应用场景,尤其是在电源供电线路、通信设备、消费电子、汽车电子、工业控制和其他需要高可靠性和稳定性的电子设备中。它的双向特性和高击穿电压使其在诸如USB接口、音频系统及其他对电压敏感组件的保护中表现尤为突出。
结论:
总的来说,D5V0M5B6LP16-7是一款功能强大、多用途的过压保护元件,凭借其优异的电气特性和耐环境性能,D5V0M5B6LP16-7 Ideal对于设计具有高要求的电子电路应用,成为了现代电子设备中不可或缺的组成部分。无论在设计初期的风险评估还是在成品测试中的稳定性考虑,这款TVS二极管都为电路设计提供了强有力的保障。