晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 70V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 100mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 100mA,2V |
功率 - 最大值 | 700mW | 频率 - 跃迁 | 220MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89 |
基本信息: DXTN26070CY-13是一款高性能NPN型双极江苏管(BJT),具有卓越的电气特性和广泛的应用潜力。此元器件采用SOT-89封装,适合表面贴装(SMD),为现代电子产品设计提供了更高的集成度与空间节省。其最大集电极电流(Ic)为2A,集射极击穿电压(Vce)为70V,使其能够处理高电流和高电压的应用场景。
电气特性:
集电极电流(Ic): 最大值为2A,适合用于高负载场合,例如电机驱动和大功率开关电路等。
集射极击穿电压(Vce): 最大值70V意味着此晶体管可在高电压环境中稳定运行,适用于汽车电子、工业控制等高压系统。
饱和压降(Vce(sat)): 在100mA和1A时,最大饱和压降为300mV。这一特性对于降低功率损耗、提升系统效率至关重要,尤其在频繁开关的电子设备中表现突出。
截止电流(ICBO): 最大值为50nA,这一点确保了该器件在关闭状态时的极低漏电流,进一步优化了电路的功耗表现。
直流电流增益(hFE): 在100mA和2V的条件下,提供的最小增益为200,支持多种信号放大应用,可用于信号调制与放大等领域。
功率额定: 最大功率耗散为700mW,适合大多数中小功率应用场景。
频率特性: 频率跃迁点为220MHz,意味着该晶体管在高频操作下也能够稳定工作,适合作为射频和高频信号处理的放大器。
工作环境与可靠性: DXTN26070CY-13的工作温度范围在-55°C到150°C之间,适合在严酷环境下使用。该特性使得晶体管在航天、军事、汽车以及工业自动化系统等高温高压工作条件下具备优良的可靠性。此外,采用SOT-89封装设计,使其在尺寸和重量方面均有良好的表现,非常适合小型化电子设备。
应用场景: DXTN26070CY-13适合的应用范围极其广泛,包括但不限于:
总结: DXTN26070CY-13是一款具有多种优良特性的NPN晶体管,适合在高温、高压、高频及高负载的复杂环境中使用。凭借其出色的性能和可靠性,这款元器件将在各类电子产品设计中助力设计工程师实现更具竞争力的解决方案。无论是在工业应用还是消费电子中,DXTN26070CY-13都能提供稳定可靠的工作效能,增强系统的整体性能。