ZXTN25012EFLTA 产品实物图片
ZXTN25012EFLTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZXTN25012EFLTA

商品编码: BM69418932
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.016g
描述 : 
三极管(BJT) 350mW 12V 2A NPN SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.29
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.29
--
200+
¥0.992
--
1500+
¥0.862
--
3000+
¥0.75
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXTN25012EFLTA参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A
电压 - 集射极击穿(最大值)12V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 100mA,5A
电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)500 @ 10mA,2V
功率 - 最大值350mW频率 - 跃迁260MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

ZXTN25012EFLTA手册

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ZXTN25012EFLTA概述

ZXTN25012EFLTA 产品概述

概述

ZXTN25012EFLTA是一款由美台半导体(DIODES)公司生产的高性能NPN类型的热稳定晶体管(BJT),主要用于低功耗和高频应用。其最大集电极电流为2A,适用于多种应用,包括开关电源、信号放大、继电器驱动及LED驱动等。此产品具有卓越的工作性能,适合于电子设计中对温度变化和电流要求比较严格的场合。

产品参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流 (Ic):2A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):12V
  • 饱和压降 (Vce饱和):在100mA和5A的条件下,最大为300mV
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大50nA
  • 最小DC电流增益 (hFE):在10mA和2V下,最小值为500
  • 最大功率输出:350mW
  • 跃迁频率:260MHz
  • 工作温度范围:-55°C至150°C
  • 封装:SOT-23(TO-236-3,SC-59)

应用场景

ZXTN25012EFLTA的高电流增益特性使其在低电流驱动条件下依然能够提供相对较大的输出电流,因而十分适合用于需要高效控制的大功率负载。以下是一些具体的应用场景:

  1. 开关电源:由于其较高的耐压特性和快速开关能力,该晶体管非常适合在高频转换器中使用。它可以在低能耗模式下工作,帮助提升整体效率。

  2. 信号放大器:ZXTN25012EFLTA的高增益和频率特性使其成为音频信号放大器和射频设备中极好的选择,用于信号放大和级联。

  3. 触发电路及继电器驱动:其高输入电流和集电极电流能力,能够有效地驱动各种继电器和固态继电器,为用户提供灵活的开关解决方案。

  4. LED驱动:在照明和显示器程序中,用于驱动LED模块,特别是当需要大电流和低控制电压时,ZXTN25012EFLTA表现优异。

性能优势

  • 高增益特性:该晶体管在较低的基极电流下能提供高达2A的集电极电流,极大地提高了设计的灵活性和效能。
  • 快速开关速度:260MHz的跃迁频率使得其能够处理高速信号,适用于频率较高的应用场合。
  • 宽工作温度范围:在极端环境下的稳定性确保了在高温和低温条件下都能正常工作,为多种工业应用提供支持。
  • 低饱和压降:在负载开关应用中,低饱和压降有助于减少功率损耗,从而提升能效。

封装与安装

ZXTN25012EFLTA采用SOT-23封装,尺寸小巧,非常适合表面贴装技术(SMT)应用。这种封装形式不仅节省PCB空间,还能提升组件间的密度,方便在现代小型电子设备中的应用。

结论

ZXTN25012EFLTA凭借其出色的电流特性、低功耗、高增益、宽温度范围和小型封装,为电子产品设计提供了强有力的支持。无论是在消费电子、通信、汽车电子还是工业控制领域,ZXTN25012EFLTA都能够满足多样化的设计需求,是一款值得推荐的优秀晶体管。