晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,5V |
功率 - 最大值 | 2W | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT593TA 是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),其主要特点包括最大集电极电流(Ic)为1A,最大集射极击穿电压(Vce)为100V,同时具备良好的电流增益特性和较宽的工作温度范围,适用于多种电子应用场景。
FZT593TA的设计旨在提供高效的电流放大与开关性能,使其在各种电力控制和信号处理应用中表现出色。其较低的饱和压降意味着在开关应用中具有较高的能效,减少能量损失,这对于热管理和系统效率至关重要。
该晶体管具有良好的直流电流增益(hFE),尤其在0.5A的集电极电流时,其增益达到至少100。这个特性使得FZT593TA能够在较低的基极电流(Ib)下驱动较高的集电极电流,这一特性在控制高电流负载时尤其有用。
FZT593TA非常适合以下应用领域:
该产品的工作温度范围从-55°C到150°C,使它能够在极端环境条件下运行,确保其在航空航天、汽车电子及工业设备等领域的可靠性。
FZT593TA是一款功能强大且可靠的PNP晶体管,其优越的电气特性和广泛的应用潜力使其成为各种电子设计中的理想选择。无论是在音频信号处理还是在控制高电流负载的场景中,FZT593TA都能提供卓越的性能,帮助工程师实现更高效、更创新的设计。通过SOT-223封装,安装与集成都变得更加便捷,是现代电子设备不可或缺的组成部分。