ZXTN25040DFHTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZXTN25040DFHTA

商品编码: BM69418915
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
三极管(BJT) 1.25W 40V 4A NPN SOT-23
库存 :
12739(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.86
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.86
--
100+
¥1.49
--
750+
¥1.33
--
1500+
¥1.27
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXTN25040DFHTA参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)4A
电压 - 集射极击穿(最大值)40V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)190mV @ 400mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)300 @ 10mA,2V
功率 - 最大值1.25W频率 - 跃迁190MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

ZXTN25040DFHTA手册

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ZXTN25040DFHTA概述

ZXTN25040DFHTA 产品概述

基本信息

ZXTN25040DFHTA是一款高性能的NPN型双极晶体管(BJT),专门设计用于需要高电流和高击穿电压的各种电子应用。其关键参数包括:最大集电极电流(Ic)为4A,最大集射极击穿电压为40V。该晶体管适用于各种高功率开关和放大器应用,能够满足严苛的性能要求。

主要参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 4A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 40V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在400mA和4A条件下,最大饱和压降为190mV,这意味着在导通状态下能有效降低功率损耗。
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大值为50nA,表明其在静态状态下有很低的漏电流,保证了更高的能效与更好的温度稳定性。
  • 直流电流增益 (hFE): 在10mA和2V时,最小增益为300,显示出良好的信号放大能力。
  • 最大功率: 1.25W,足以应对多种小型功率电路和开关应用。
  • 频率 – 跃迁: 190MHz,适用于高频开关应用,确保信号传输的有效性。
  • 工作温度范围: -55°C至150°C,使其适合于极端环境和高温应用。

封装和安装

该器件采用表面贴装型设计,封装为SOT-23(TO-236-3),这是一种小型化封装,具有极佳的抗干扰性和热性能。这种封装非常适合于现代电子产品中空间有限的应用,如消费电子、工业控制系统和通信设备。

应用场景

ZXTN25040DFHTA特别适合以下应用:

  1. 功率放大器: 由于其高电流增益和较低的饱和压降,ZXTN25040DFHTA能够有效放大信号,适合音频放大器和射频放大器等应用。
  2. 开关电路: 在低功耗和高功耗开关应用中,它能够承受较大的电流,控制灯光、电机、继电器等负载。
  3. 线性调节器:通过使用ZXTN25040DFHTA,可以实现稳定的输出电压,适用于电源管理应用。
  4. 高频应用: 得益于其190MHz的频率跃迁,该晶体管能够在高频应用中保持良好的性能,如无线通信和数据传输。

可靠性与稳定性

ZXTN25040DFHTA具有良好的温度稳定性和极低的静态电流,能够在各种工作环境中保持可靠性,降低了系统故障的风险。此外,它的广泛工作温度范围使其适用于军事、航空航天和工业设备等要求严格的应用场景。

总结

ZXTN25040DFHTA是一个多功能、高性能的NPN晶体管,凭借其卓越的电气特性和优雅的封装设计,能够满足现代电子工程师对性能和可靠性的高要求。无论是在消费类电子产品、工业设备,还是在高频通信系统中,该器件都能为设计提供强大的支持。