ZXTP2009ZTA 产品实物图片
ZXTP2009ZTA 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZXTP2009ZTA

商品编码: BM69418914
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
0.092g
描述 : 
三极管(BJT) 2.1W 40V 5.5A PNP SOT-89-3
库存 :
18(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
1.88
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.88
--
50+
¥1.44
--
1000+
¥1.2
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXTP2009ZTA参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)5.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)40V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)185mV @ 550mA,5.5A
电流 - 集电极截止(最大值)20nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 500mA,2V
功率 - 最大值2.1W频率 - 跃迁152MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装SOT-89-3

ZXTP2009ZTA手册

empty-page
无数据

ZXTP2009ZTA概述

ZXTP2009ZTA 产品概述

一、产品简介

ZXTP2009ZTA是一款高性能的PNP型三极管,专为各种电子电路设计而优化。它具有卓越的电流承载能力及适中的工作电压范围,使其广泛应用于功放、开关电源、低功耗信号放大以及其他高性能电子设备中。此款元件的高频特性、低饱和压降和优良的增益特性使其在现代电子电路中成为理想的选择。

二、基本参数

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 5.5A
  • 集射极击穿电压 (Vceo): 40V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 185mV @ 550mA,最大值5.5A
  • 最大集电极截止电流 (Icbo): 20nA
  • 直流电流增益 (hFE): 200 @ 500mA,2V(最小值)
  • 最大功率耗散: 2.1W
  • 跃迁频率: 152MHz
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 封装类型: SOT-89-3

三、主要特性

  1. 高电流承载能力: ZXTP2009ZTA具有5.5A的最大集电极电流特性,使其能够承载高电压和高电流需求的应用,适合开关电源和功率放大器等领域。

  2. 低饱和压降: 在550mA的工作条件下,ZXTP2009ZTA表现出仅185mV的饱和压降。这一特性显著提高了电路的效率,减少了功耗,特别是在驱动大电流的负载时,可以显著降低发热。

  3. 高增益: 具有最小200的直流电流增益(hFE),确保了在小信号输入时能够有效驱动更大的集电极电流,适合于多种放大电路设计。

  4. 宽广的工作温度范围: ZXTP2009ZTA的工作温度范围为-55°C至150°C,便于在极端环境下工作,适合于汽车电子、工业控制等要求高可靠性的应用场景。

  5. 高频特性: 较高的跃迁频率为152MHz,使其适合应用于高频信号的处理场合,如RF放大器和高速开关电路。

四、应用领域

ZXTP2009ZTA因其优越的性能,适用于广泛的电子产品,包括但不限于:

  • 开关电源: 在高效转换电源中,ZXTP2009ZTA可用作开关元件以实现高效的功率传输和控制。
  • 功率放大器: 适用于音频和无线电信号放大,能够在低失真情况下提供高输出功率。
  • 低功耗电子设备: 在便携式设备中,利用其低功耗特性,提高设备的电池寿命。
  • 驱动电路: 可用作驱动大功率负载,如电机、灯泡及继电器等控制应用。

五、封装与安装

ZXTP2009ZTA采用SOT-89-3封装,适合表面贴装技术(SMT),便于大规模自动化生产。其小型化设计有助于降低PCB的空间需求,适应不断发展的小型化电子设备设计趋势。

六、总结

作为一款高性能的PNP三极管,ZXTP2009ZTA在电流处理、功率效率和温度稳定性等方面具有显著优势,非常适合需要高电流和高效能的电子应用。通过对其特性的深入理解和应用场景的精确定位,设计人员可以充分利用ZXTP2009ZTA,以提升其电子产品的性能和可靠性。