FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 350 毫欧 @ 1.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.7nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 424pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252-2 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
ZXMP10A17KTC 是一款高性能的 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),由知名电子元器件供应商 DIODES(美台)生产。该器件专为低功率开关和线性应用设计,具有优良的电气特性和稳定的工作性能。其特定的技术参数使其广泛用于各种电子设备中,满足严苛的行业需求和应用场景。
ZXMP10A17KTC 适用于多种应用场合,以下是一些常见的应用示例:
在使用 ZXMP10A17KTC 作为设计的一部分时,需要注意以下几点:
ZXMP10A17KTC 是一款功能强大且可靠的 P 通道 MOSFET,适用于多种高效能电子应用。凭借其优秀的电气特性、宽广的工作温度范围和优良的散热性能,它能够满足现代电子设计的要求。设计工程师可以凭借其稳定的性能和强大的应用能力,在产品开发中实现更高的灵活性和效率。无论是在电源管理、开关电源,还是在驱动电路中,ZXMP10A17KTC 都是一款值得信赖的选择。