ZXMP10A17KTC 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZXMP10A17KTC

商品编码: BM69418913
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 100V 2.4A 1个P沟道 TO-252
库存 :
5000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.51
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.51
--
100+
¥1.93
--
1250+
¥1.67
--
2500+
¥1.58
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXMP10A17KTC参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)350 毫欧 @ 1.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)10.7nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)424pF @ 50V
功率耗散(最大值)2W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装TO-252-2
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

ZXMP10A17KTC手册

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ZXMP10A17KTC概述

ZXMP10A17KTC 产品概述

1. 概述

ZXMP10A17KTC 是一款高性能的 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),由知名电子元器件供应商 DIODES(美台)生产。该器件专为低功率开关和线性应用设计,具有优良的电气特性和稳定的工作性能。其特定的技术参数使其广泛用于各种电子设备中,满足严苛的行业需求和应用场景。

2. 主要特性

  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)
  • 漏源电压 (Vdss): 最高可达到 100V,适用于高压电路应用
  • 连续漏极电流 (Id): 在25°C下,最大漏极电流为 2.4A,确保在较高负载条件下稳定工作
  • 驱动电压: 为最低导通电阻,要求 Vgs 的驱动电压分别为 6V 和 10V,根据应用需求选择适当的驱动电压
  • 导通电阻 (Rds On): 在 10V 和 1.4A 时,最大导通电阻为 350毫欧,为保证低功耗和高效能提供了有力支持
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 4V (在 250µA 流量下),有助于在不同条件下快速响应
  • 栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动情况下,最大栅极电荷为 10.7nC,适用于快速开关应用
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C,使其在极端环境下的可靠性大大增强
  • 最大功率耗散: 2W(在规定环境下)显示了其良好的热管理特性
  • 封装类型: 表面贴装,采用 TO-252 封装,支持高密度集成设计

3. 应用领域

ZXMP10A17KTC 适用于多种应用场合,以下是一些常见的应用示例:

  • 电源管理: 适用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理电路。
  • 开关电源: 在开关电源和逆变器上作为开关器件,实现能量的高效转换。
  • 驱动电路: 在马达驱动、继电器驱动等电路中提供强有力的控制能力。
  • 配电系统: 适用于电源分配和开关控制,为整个系统提高效率和稳定性。

4. 设计考虑

在使用 ZXMP10A17KTC 作为设计的一部分时,需要注意以下几点:

  • 散热设计: 尽管该器件具有较好的功率处理能力,但在高负载下需进行适当的散热设计,以保证在安全工作温度范围内工作。
  • 驱动电路: 确保驱动电压大于阈值电压(Vgs(th)),以保证 MOSFET 在开关过程中有效导通。
  • 布局设计: 在 PCB 布局时,合理安排 MOSFET 的引脚布局,避免过长的导线造成寄生电感和电阻影响性能。

5. 结论

ZXMP10A17KTC 是一款功能强大且可靠的 P 通道 MOSFET,适用于多种高效能电子应用。凭借其优秀的电气特性、宽广的工作温度范围和优良的散热性能,它能够满足现代电子设计的要求。设计工程师可以凭借其稳定的性能和强大的应用能力,在产品开发中实现更高的灵活性和效率。无论是在电源管理、开关电源,还是在驱动电路中,ZXMP10A17KTC 都是一款值得信赖的选择。