FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.2A(Ta),23.6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1377pF @ 30V |
功率耗散(最大值) | 1.9W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
DMPH6050SK3Q-13 是一款由美台(DIODES)推出的高性能 P 通道 MOSFET,封装类型为 TO-252(也称 DPAK),专为各类高效功率应用而设计。该器件的主要特点包括宽电压范围、高电流承载能力及良好的导电性能,是现代电子设备中不可或缺的重要元件。
DMPH6050SK3Q-13 使用 TO-252 封装形式,这种表面贴装器件具有良好的散热性能和较小的安装面积。TO-252 封装的设计使得这种MOSFET 更加便于集成入现代电子电路中,优化 PCB 布局和空间使用。
DMPH6050SK3Q-13 适用于多个领域,包括:
作为一款 P 通道 MOSFET,DMPH6050SK3Q-13 具有较低的开关损耗和导通损耗,适合高效能电路设计。其设计符合现代电子产品对功率效率的需求,尤其是在需要快速切换及热量管理的应用中表现卓越。
总之,DMPH6050SK3Q-13 是一款性能突出的 P 通道 MOSFET,适用于广泛的电子应用。凭借其高电压和电流能力,以及很好的电气特性,使其在功率管理及负载开关领域中成为一个理想的选择。无论是在消费电子、工业自动化,还是电动工具上,其卓越的性能均能满足市场不断增长的需求。