DMPH6050SK3Q-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMPH6050SK3Q-13

商品编码: BM69418909
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
0.37g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.9W 60V 7.2A;23.6A 1个P沟道 TO-252
库存 :
2882(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.25
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.25
--
100+
¥1.73
--
1250+
¥1.5
--
2500+
¥1.42
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMPH6050SK3Q-13参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.2A(Ta),23.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)25nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1377pF @ 30V
功率耗散(最大值)1.9W(Ta)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装TO-252
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

DMPH6050SK3Q-13手册

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DMPH6050SK3Q-13概述

DMPH6050SK3Q-13 产品概述

产品简介

DMPH6050SK3Q-13 是一款由美台(DIODES)推出的高性能 P 通道 MOSFET,封装类型为 TO-252(也称 DPAK),专为各类高效功率应用而设计。该器件的主要特点包括宽电压范围、高电流承载能力及良好的导电性能,是现代电子设备中不可或缺的重要元件。

主要规格

  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)
  • 漏源电压(Vdss): 最高可达 60V,适用于多种工业和消费电子应用
  • 连续漏极电流 (Id): 25°C 时可达 7.2A(在环境温度下)、23.6A(在晶体管结温下)
  • 驱动电压: 最小 Rds On 驱动电压为 4.5V,最大为 10V,使其在不同电压下也能保持良好的性能
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压下,7A 时最大导通电阻为 50 毫欧,提供了优异的导电效率
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 3V @ 250μA,确保快速开启和关闭
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 25nC @ 10V,适合高频应用
  • 输入电容 (Ciss): 在 30V 时,最大输入电容为 1377pF,支持高效能输入信号处理
  • 功率耗散: 在环境温度下最大功率耗散达到 1.9W,适合低功耗设计
  • 工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C 的宽广工作温度适用范围,满足严苛环境下的稳定运行需求

封装和安装

DMPH6050SK3Q-13 使用 TO-252 封装形式,这种表面贴装器件具有良好的散热性能和较小的安装面积。TO-252 封装的设计使得这种MOSFET 更加便于集成入现代电子电路中,优化 PCB 布局和空间使用。

应用领域

DMPH6050SK3Q-13 适用于多个领域,包括:

  • 电源管理: 可以在开关电源、线性稳压器等电源模块中用作开关开关,同时降低导通损耗。
  • 负载开关: 在便携式设备、LED 照明和汽车应用中作为负载开关,以优化功率分配。
  • 电动机驱动: 动力控制电路中可应用于电动机驱动,减少热量发散,提高效率。
  • 通用开关应用: 由于其优秀的电气特性,可广泛应用于各种通用开关电路。

性能优越性

作为一款 P 通道 MOSFET,DMPH6050SK3Q-13 具有较低的开关损耗和导通损耗,适合高效能电路设计。其设计符合现代电子产品对功率效率的需求,尤其是在需要快速切换及热量管理的应用中表现卓越。

结论

总之,DMPH6050SK3Q-13 是一款性能突出的 P 通道 MOSFET,适用于广泛的电子应用。凭借其高电压和电流能力,以及很好的电气特性,使其在功率管理及负载开关领域中成为一个理想的选择。无论是在消费电子、工业自动化,还是电动工具上,其卓越的性能均能满足市场不断增长的需求。