功率(Pd) | 31.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 55pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.3mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 27.5nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 2个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.89nF | 连续漏极电流(Id) | 85A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
AONY36354 是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),适用于各种功率管理和开关应用。该元件采用DFN(双面封装)5x6D-8L封装,设计旨在提高散热性能和电气特性,以应对现代电子设备对高效率、低功耗的需求。AONY36354的电压额定值为30V,能够承载高达85A的连续工作电流,使其在高负载应用中表现出色。这款MOSFET广泛应用于电源转换、马达驱动、照明和其他需要高效率开关控制的电路中。
AONY36354广泛适用于各种行业的电子产品,具体应用领域包括但不限于:
电源管理: 在DC-DC转换器、AC-DC适配器中作为开关元件,提供高效的电能转化,降低能量损耗,提高整体系统的效率。
马达驱动: 在直流电动机控制、电动工具及电动交通工具中,作为开关元件实现精确的控制与调节,以提高动力系统的反应速度和效率。
照明设备: 在LED驱动电路中应用,能够高效控制和调节LED的亮度及功率,提升照明系统的能效比。
消费电子: 在逆变器、音响设备等消费电子产品中,AONY36354能够以其卓越的性能支持各种电能转换和管理任务。
AONY36354是一款集高效能、高可靠性于一身的N沟道MOSFET,适合多种电源及控制应用。其出色的电流承载能力和较低的功耗使其在现代电子设备中具有显著的竞争优势。对于任何需要高效率、高功率管理的设计工程师而言,AONY36354无疑是一个理想的选择。通过合理的使用与配置,能够在确保性能的基础上,达到最佳的电源管理效果。从而为客户创造更高的价值,推动各类智能设备的发展与普及。