ZX5T853GTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZX5T853GTA

商品编码: BM69418894
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
标准卷带
重量 : 
-
描述 : 
普通双极型晶体管(BJT)
库存 :
232(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
3.12
按整 :
(1有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.12
--
50+
¥2.4
--
1000+
¥2
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZX5T853GTA参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)220mV @ 500mA,5A电流 - 集电极截止(最大值)20nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 2A,2V频率 - 跃迁130MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)6A电压 - 集射极击穿(最大值)100V
功率 - 最大值3W基本产品编号ZX5T853

ZX5T853GTA手册

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ZX5T853GTA概述

产品概述:ZX5T853GTA

ZX5T853GTA 是一款由美台 Diodes Incorporated 生产的高性能 NPN 晶体管,采用 SOT-223 封装,专为各种电子应用而设计。此种双极型晶体管(BJT)以其优良的电流放大性能、较低的饱和压降以及广泛的工作温度范围,使其在现代电子设计中具有广泛的应用潜力。

主要参数

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 晶体管类型: NPN
  • 电流 - 集电极截止(ICBO): 最大值 20nA,确保在关断状态下极低的漏电流,从而提高设备的能效和可靠性。
  • 饱和压降(Vce): 在500mA时最大饱和压降为 220mV,提供有效的电流控制,适合用于电源开关与信号放大等应用。
  • DC 电流增益 (hFE): 最小值为 100 @ 2A,2V,确保其在高负载条件下仍具较强的放大能力。
  • 频率 - 跃迁: 高达 130MHz,适合高频应用,极大提升信号处理能力。
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C,适应各种恶劣工作环境,使其能够在军事、汽车和工业应用中使用。
  • 电流 - 集电极 (Ic): 最大值为 6A,支持高功率应用,提供更强的驱动能力。
  • 电压 - 集射极击穿(Vceo): 顶级电压为 100V,适用于大电压条件下的电路应用。
  • 功率 - 最大值: 3W,兼容多种功耗需求。

封装与安装

ZX5T853GTA 采用表面贴装型封装(SOT-223),这种设计不仅可以节省PCB空间,便于自动化生产和替换,还可以提高散热性能,有利于在高功率使用情况下的稳定运行。SOT-223 封装也使其在小体积产品设计中表现出色,扩展了其在消费电子、汽车电子、便携式设备以及其他工业应用中的适用性。

应用领域

ZX5T853GTA 晶体管广泛应用于多种领域,具体包括:

  1. 电源管理: 适用于开关电源和线性稳压器的电流开关和放大,帮助控制电能的有效利用。
  2. 信号放大: 在音频放大器和射频应用中充当信号放大元件,无论是用于小信号处理还是高频处理均表现出色。
  3. 工业控制: 用于电子控制系统中的传感器信号处理、线路驱动等,适应恶劣环境的高可靠性要求。
  4. 汽车应用: 在汽车电子系统中,ZX5T853GTA 的高工作温度和电压特性使其适合车载控制单元和传感器线圈驱动。
  5. 通信设备: 由于其高频特性,非常适合用于数据通信和无线通信设备中,帮助快速推送和处理信号。

结语

ZX5T853GTA 作为一款具有高性能和高可靠性的 NPN 晶体管,结合其优异的电气参数与广泛的应用功能,成为了设计师和工程师在构建各种电子产品时的重要选择。无论是在高频应用还是在高功率驱动领域,ZX5T853GTA 都能够满足现代电子设备对元器件性能的严格要求。通过合适的电路设计与优化,用户能够充分发挥此器件的特点,在多种复杂应用中实现卓越的性能。