制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 220mV @ 500mA,5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 20nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 2A,2V | 频率 - 跃迁 | 130MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 6A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
功率 - 最大值 | 3W | 基本产品编号 | ZX5T853 |
ZX5T853GTA 是一款由美台 Diodes Incorporated 生产的高性能 NPN 晶体管,采用 SOT-223 封装,专为各种电子应用而设计。此种双极型晶体管(BJT)以其优良的电流放大性能、较低的饱和压降以及广泛的工作温度范围,使其在现代电子设计中具有广泛的应用潜力。
ZX5T853GTA 采用表面贴装型封装(SOT-223),这种设计不仅可以节省PCB空间,便于自动化生产和替换,还可以提高散热性能,有利于在高功率使用情况下的稳定运行。SOT-223 封装也使其在小体积产品设计中表现出色,扩展了其在消费电子、汽车电子、便携式设备以及其他工业应用中的适用性。
ZX5T853GTA 晶体管广泛应用于多种领域,具体包括:
ZX5T853GTA 作为一款具有高性能和高可靠性的 NPN 晶体管,结合其优异的电气参数与广泛的应用功能,成为了设计师和工程师在构建各种电子产品时的重要选择。无论是在高频应用还是在高功率驱动领域,ZX5T853GTA 都能够满足现代电子设备对元器件性能的严格要求。通过合适的电路设计与优化,用户能够充分发挥此器件的特点,在多种复杂应用中实现卓越的性能。